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J-GLOBAL ID：201702215782789646   整理番号：17A1350428

平滑と微細ピッチInFO RDL上の高性能チップ分割ミリ波受動素子【Powered by NICT】

High Performance Chip-Partitioned Millimeter Wave Passive Devices on Smooth and Fine Pitch InFO RDL

著者 (6件)： Hsu Che-Wei ,  Tsai Chung-Hao ,  Hsieh Jeng-Shien ,  Yee Kuo-Chung ,  Wang Chuei-Tang ,  Yu Douglas
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ECTC  ページ： 254-259  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能ミリ波受動素子は,平滑,微細ピッチInFO再分布層(RDL)上に実現した。これらの受動素子は,バラン,電力結合器,結合器,およびマイクロストリップ線路であり,電気的性能はVNAによる0.1GHzから67GHzまで測定した。測定結果はInFOバルン(4.3 dB),パワーデバイダ(4.3 dB),および結合器(4.9 dB)の透過損失は2.1dB,1dB,0.2dBによるオンチップ1より性能が優れていることが分かった。がマイクロストリップ線路(0.34 dB/mm)の伝送損失は60GHzで 0.17dB/mmによるオンチップよりも良好であった。InFOチップパッケージ相互接続の寄生を調べとはんだバンプのない他の技術と比較した。寄生抵抗,インダクタンス,およびInFO相互接続のための静電容量は,チップ過去,フェースダウン技術のそれよりも75%,76%,及び14%低かった。InFO RDLのための寄生抵抗は不均一RDLを備えたチップ第一フェースダウン技術のそれより10%低かった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 再分布 ,  インダクタンス ,  マイクロストリップ線路 ,  相互接続 ,  バルン ,  静電容量 ,  パワーデバイダ ,  *EHF波 ,  結合器 ,  伝送損失 ,  電力結合器
準シソーラス用語： 寄生抵抗 ,  はんだバンプ ,  オンチップ ,  *受動素子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 伝送線  (NC04030C) ,  マイクロ波・ミリ波通信  (ND08020W) ,  その他の伝送回路素子  (NC04070U)

タイトルに関連する用語 (4件)： 微細ピッチ ,  高性能 ,  ミリ波 ,  受動素子