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J-GLOBAL ID：201702215892520333   整理番号：17A1723499

フェムト秒レーザによるシリコン内の深い書かれた光導波路【Powered by NICT】

Optical waveguides written deep inside silicon by femtosecond laser

著者 (9件)： Pavlov Ihor (Bilkent University, Physics Department, Cankaya, Ankara, 06800, Turkey) ,  Takel Onur (Bilkent University, Physics Department, Cankaya, Ankara, 06800, Turkey) ,  Pavlova Svitlana (Institute of Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kiev, 03028, Ukraine) ,  Kadan Viktor (Bilkent University, Physics Department, Cankaya, Ankara, 06800, Turkey) ,  Makey Ghaith (Bilkent University, Physics Department, Cankaya, Ankara, 06800, Turkey) ,  Turnali Ahmet (Bilkent University, Physics Department, Cankaya, Ankara, 06800, Turkey) ,  Colakoglu Tahir (Middle East Technical University, Physics Department, Cankaya, Ankara, 06800, Turkey) ,  Yavuz Ozgun (Bilkent University, Electrical and Electronics Department, Cankaya, Ankara, 06800 Turkey) ,  Ilday Fatih Omer (Bilkent University, Physics Department, Cankaya, Ankara, 06800, Turkey)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： CLEO/Europe-EQEC  ページ： 1  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガイド,移動または光を調節できることをフォトニックデバイスであるエレクトロニクスと集積シリコンフォトニクスにおける強く望まれている。超高速レーザ-物質相互作用中に生じる非線形過程により,レーザ光は,材料のバルクにおける永久屈折率変化を与えることができ,その結果,材料内部の異なる光学素子の製作を可能にする。しかし,誘起された自由キャリアプラズマデフォーカシングによる光のSi得られた非局在化の強い多光子吸収のために,フェムト秒レーザを用いた表面下Si改質は,これまで実現できなかった[1+2]。ここでは,著者らは,1.5μmの高繰返し速度フェムト秒レーザを用いた光導波路書かれた深い内部シリコンを実証した。高繰返し率レーザのためのパルス-パルス熱蓄積のために,付加的な熱レンズは焦点付近の光の非局在化を防ぎ,改質を可能にした。2μJパルスエネルギー,350fsパルス幅,Si中の集光した250kHzで動作するレーザは,永久変化をもたらす。試料の焦点内の位置は加工中にpumpprobeイメージングを正確に制御した。~20μm直径の光導波路,5.5mmまで伸びは光学軸に沿ってビーム焦点位置を変換することにより作製した。導波路は1.5μm連続波レーザによる特性化,光学的シャドウグラフ(Fig.1a-b,e)と直接光結合(図1cd,f)である。定量的シャドウグラフ法により得られた測定された屈折率変化は~6×10~ 4であった。デカップルした光から測定した導波路の開口数は0.05であった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： レーザビーム ,  キャラクタリゼーション ,  パルス幅 ,  *光導波路 ,  シャドウグラフ ,  *ケイ素 ,  *導波路 ,  屈折率 ,  画像処理 ,  *レーザ ,  *フェムト秒レーザ ,  光学素子 ,  パルス
準シソーラス用語： 多光子吸収 ,  フォトニックデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  特殊加工  (QC04000Y)

タイトルに関連する用語 (3件)： フェムト秒レーザ ,  シリコン ,  光導波路