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J-GLOBAL ID：201702215940153255   整理番号：17A1513796

2D半導体オプトエレクトロニクスにおける進歩

Progress in 2D semiconductor optoelectronics

著者 (9件)： MAJUMDAR Arka (Univ. Washington, WA) ,  FRYETT Taylor (Univ. Washington, WA) ,  LIU Chang-Hua (Univ. Washington, WA) ,  ZHENG Jiajiu (Univ. Washington, WA) ,  WU Sanfeng (Univ. Washington, WA) ,  RIVERA Pasqual (Univ. Washington, WA) ,  SYLER Kyle (Univ. Washington, WA) ,  CLARK Genevieve (Univ. Washington, WA) ,  XU Xiaodong (Univ. Washington, WA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 10194  ページ： 101940F.1-101940F.7  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元半導体は光電子放出の高い量子効率,吸収及び非線形光学特性をゆするオプトエレクトロニクス(OE)材料である。グラフェンの欠点は遷移金属ジカルコゲナイド(TMDC)を用いて解決できる。TMDCはバンドギャップ,二次非線形性及び高い光放射を有し,優れたOE特性を有するが極端な薄さが達成可能な光-物質相互作用強度を制限する。本稿は,ナノフォトニック共振器と集積化した二次元半導体における進歩を述べ,特に,光励起レーザ,キャビティ強化電界発光及び第二高調波発生を述べた。

シソーラス用語： *オプトエレクトロニクス ,  *半導体 ,  カルコゲン化物 ,  遷移金属化合物 ,  工学 ,  共振器 ,  技術進歩 ,  光ポンピング ,  レーザ ,  空洞 ,  *エレクトロルミネセンス ,  第二高調波発生
準シソーラス用語： キャビティ ,  ナノフォトニクス ,  *二次元半導体 ,  光励起 ,  遷移金属ジカルコゲナイド ,  電界発光

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (2件)： 2D ,  オプトエレクトロニクス