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J-GLOBAL ID：201702215953809282   整理番号：17A0548656

炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴(3)-注入層における注入欠陥の3次元アトムプローブによる解析-

著者 (8件)： 重松理史 (SUMCO) ,  奥山亮輔 (SUMCO) ,  廣瀬諒 (SUMCO) ,  柾田亜由美 (SUMCO) ,  門野武 (SUMCO) ,  古賀祥泰 (SUMCO) ,  奥田秀彦 (SUMCO) ,  栗田一成 (SUMCO)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.15a-F201-3  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： エピタクシー ,  *ウエハ【IC】 ,  *ケイ素 ,  クラスタ分子 ,  炭素 ,  *イオン注入 ,  深さ分布 ,  原子プローブFIM ,  *格子欠陥 ,  酸素 ,  クラスタイオン
準シソーラス用語： 炭素クラスタ ,  三次元アトムプローブ

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： 炭素クラスター ,  イオン注入 ,  Si ,  注入 ,  欠陥 ,  3次元アトムプローブ ,  解析