シングルイベント効果(SEE)試験は,SamsungとSpansion4Gb NANDフラッシュデバイスについて行った。試験はLET=41MeV cm2/mgまで行った。部品は様々なSEEのを特性化した。試験と解析は,MBUがより高いLET値でより優勢になることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】