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J-GLOBAL ID:201702216031401205   整理番号:17A0578341

6H-SiCのナノインデンテーションにおける表面形態と機械的性質応答についてのシミュレーションと実験

Simulation and Experiment on Surface Morphology and Mechanical Properties Response in Nano-Indentation of 6H-SiC
著者 (4件):
資料名:
巻: 26  号:ページ: 1000-1009  発行年: 2017年03月 
JST資料番号: C0161B  ISSN: 1059-9495  CODEN: JMEPEG  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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SiCの単結晶はSiに比べて多くの利点を有するため,第三世代半導体材料として徐々に使われ始めた。しかしながら,SiCの非常に高い硬度は機械加工を著しく困難なものとしており,幅広い利用を阻害している。本研究においては,この加工技術の開発に資するために,SiC単結晶の物性評価をナノインデンテーション(NI)技術を用いて行なった。また,シミュレーションを用いてインデンテーション挙動を解析した。実験では,6H-SiC単結晶を用いその(0001)面でのNIを行ない,その表面を走査電子顕微鏡を用いて観察した。この実験および解析から,SiCの歪み硬化および破壊挙動を明らかにすることができ,圧子先端が劈開面に沿う時,容易に亀裂が進展することも見出した。
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分類 (1件):
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セラミック・磁器の性質 

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