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J-GLOBAL ID：201702216350722256   整理番号：17A1637393

進行ナノデバイスへのナノプロービングとSTEM-EDS技術によるNMOS失われたLDD/ポケットの破壊解析【Powered by NICT】

Failure analysis for NMOS missing LDD/pocket by nanoprobing and STEM-EDS techniques to advanced nano-devices

著者 (6件)： Wang Yan (Semiconductor Manufacturing International Corporation. NO.18 Zhangjiang Road, Pudong New Area, Shanghai, China) ,  Wu Yong (Semiconductor Manufacturing International Corporation. NO.18 Zhangjiang Road, Pudong New Area, Shanghai, China) ,  Lai Li-Lung (Semiconductor Manufacturing International Corporation. NO.18 Zhangjiang Road, Pudong New Area, Shanghai, China) ,  Zhao Evan (Semiconductor Manufacturing International Corporation. NO.18 Zhangjiang Road, Pudong New Area, Shanghai, China) ,  Lei Hans (Semiconductor Manufacturing International Corporation. NO.18 Zhangjiang Road, Pudong New Area, Shanghai, China) ,  Sun Mason (Semiconductor Manufacturing International Corporation. NO.18 Zhangjiang Road, Pudong New Area, Shanghai, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IPFA  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 失敗NMOSは軽くドープしたドレイン(LDD)とポケット(PK)注入問題を受け,このループ欠陥はNMOS LDD&PK非対称性部分欠損を誘導する疑いを示した。デバイス破壊部位はナノプロービングによる位置していた。電気的な結果に基づいて,断面から得られたTEMエネルギー分散X線分光法(EDX)像,指定された場所で調製したLDD領域で欠落しているn型(As)を示した。技術コンピュータ支援設計(TCAD)シミュレーションはナノプロービングデータとPKプロファイルを検証し,破壊モデルを確認した。一方,EDX,ナノプロービング及びTCAD技術は,最新のナノスケールMOSデバイスの二次元ドーパントプロフィルを解析するための有望な技術であることが証明された。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： シミュレーション ,  二次元 ,  *NMOS構造 ,  CAD【計算機】 ,  ドーピング ,  非対称性 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  MOSFET
準シソーラス用語： ナノスケール ,  破壊モデル ,  TCAD ,  *破壊解析 ,  *ナノデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノデバイス ,  STEM ,  EDS ,  NMOS ,  破壊解析