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J-GLOBAL ID：201702216413943040   整理番号：17A0399747

WドープZnOナノ粉体の直線および平面欠陥の評価【Powered by NICT】

The evaluation of linear and planar defects in W-doped ZnO nanopowders

著者 (3件)： Soleimanian Vishtasb (Department of Physics, Faculty of Sciences, Shahrekord University, P.O. Box 115, Shahrekord, Iran) ,  Soleimanian Vishtasb (Nanotechnology Research Center, Shahrekord University, 8818634141 Shahrekord, Iran) ,  Chenari Hossein Mahmoudi (Department of Physics, Faculty of Sciences, University of Guilan, Namjoo Ave, Po Box 41335-1914, Rasht, Iran)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 460  ページ： 117-125  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ結晶タングステンドープ酸化亜鉛(Zn1 x O,x=0~0.01,0.02,0.04,0.06)をゾル-ゲル法で合成した。TEMの明視野と暗視野モードは,ナノ粉末の結晶粒と亜結晶粒をキャラクタライズするために用いた。試料の平面欠陥がDiffaXソフトウェアを用いて調べた。これを行うために,異なる双晶化と積層欠陥確率でX線回折パターンをシミュレートした。シミュレートしたパターンのWilliamson-Hallプロットでは,W添加試料から得られたものと比較した。種々の圧縮と引張双晶の中で,{11.1}<1 1 6>引張双晶の広がりの唯一の挙動はドープした試料のWilliamson-Hallプロットと類似していた。DiffaXシミュレーションの結果はeCMWPあてはめ法に導入し,微結晶サイズ,サイズ分布関数,双晶境界頻度,転位密度および外部カットオフ半径転位を含む微細構造パラメータの影響は,Wドーピング濃度の関数として調べた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶粒 ,  *酸化亜鉛 ,  双晶境界 ,  積層欠陥 ,  ゾル-ゲル法 ,  亜結晶粒 ,  転位密度 ,  X線回折 ,  微結晶 ,  引張 ,  *ドーピング ,  ナノ結晶 ,  双晶
準シソーラス用語： 双晶化 ,  *面欠陥 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： A1線形および平面欠陥 ,  A1TEM ,  A1X線回折解析 ,  A1Diffax ,  A1eCMWP ,  B1WをドープしたZnOナノ粉末

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： ドープ ,  ZnO ,  ナノ粉体 ,  直線 ,  平面欠陥 ,  評価