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J-GLOBAL ID：201702216548028338   整理番号：17A0473580

PVD CdS/CuInGaSe_2ヘテロ接合におけるCdドーピング【Powered by NICT】

Cd doping at PVD-CdS/CuInGaSe₂ heterojunctions

著者 (13件)： He Xiaoqing (Materials Science and Engineering, University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, IL 61801, USA) ,  Paulauskas Tadas (Department of Physics, University of Illinois at Chicago, Chicago, IL 60607, USA) ,  Ercius Peter (Lawrence Berkeley National Laboratory, National Center for Electron Microscopy, Berkeley, CA 94720, USA) ,  Varley Joel (Lawrence Livermore National Laboratory, Livermore, CA 94550, USA) ,  Bailey Jeff (MiaSole Hi-Tech, Santa Clara, CA 95051, USA) ,  Zapalac Geordie (MiaSole Hi-Tech, Santa Clara, CA 95051, USA) ,  Poplavskyy Dmitry (MiaSole Hi-Tech, Santa Clara, CA 95051, USA) ,  Mackie Neil (MiaSole Hi-Tech, Santa Clara, CA 95051, USA) ,  Bayman Atiye (MiaSole Hi-Tech, Santa Clara, CA 95051, USA) ,  Spaulding David (MiaSole Hi-Tech, Santa Clara, CA 95051, USA) ,  Klie Robert (Department of Physics, University of Illinois at Chicago, Chicago, IL 60607, USA) ,  Lordi Vincenzo (Lawrence Livermore National Laboratory, Livermore, CA 94550, USA) ,  Rockett Angus (Materials Science and Engineering, University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, IL 61801, USA)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 164  ページ： 128-134  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 走査型透過電子顕微鏡(STEM)と関連技術による物理蒸着(PVD)CdS/CIGSヘテロ接合におけるCuInGaSe_2(CIGS)表面のCdドーピングの直接的証拠について報告した。CIGS表面近傍領域のCdドーピングに関係なく閃亜鉛鉱型(ZB)とウルツ鉱型(wz)CdSのCdS中のCuリッチドメインの存在または存在しないことを見出した。しかし,Cuリッチドメインは,CdS中に存在するとき,Cdは,CIGSにはるかに離れた浸透することを見出した。これはCuはCdと交換,CIGS中のCdの濃度勾配を増加させ,その結果CIGS表面へのCdを駆動することを示唆した。Cdドーピングは収差補正STEM高角度環状暗視野像における原子分解能で明瞭に分離できた。zb CdS/CIGSヘテロ接合では,CdはCuとGa原子を置換することが示されているが,wz CdS/CIGSヘテロ接合におけるCdは主にCuサイトを占めると考えられる。CIGS表面層中のCdドーピングは,CIGSのp-nホモ接合の形成,高いデバイス効率,CBD CdS/CIGS加工構造に匹敵を説明するかもしれないを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 濃度勾配 ,  *カドミウム ,  閃亜鉛鉱 ,  太陽光発電 ,  収差補正 ,  物理蒸着 ,  *ガリウム ,  *硫化カドミウム ,  表層 ,  *銅 ,  *ヘテロ接合
準シソーラス用語： ホモ接合 ,  原子分解能 ,  暗視野 ,  セレン化ガリウムインジウム銅 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： 物理蒸着 ,  Cu(In ,  Ga)Se_2太陽光発電 ,  Cdドーピング ,  STEM-EDSマッピング ,  原子分解能 ,  p-nホモ接合

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： PVD ,  CdS ,  ヘテロ接合 ,  Cd ,  ドーピング