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J-GLOBAL ID：201702216563980753   整理番号：17A1426978

金属修飾されたグラフジイン:第一原理研究【Powered by NICT】

Metal decorated graphdiyne: A first principle study

著者 (2件)： Nayebi Payman (Department of Physics, College of Technical and Engineering, Saveh Branch, Islamic Azad University, Saveh, Iran) ,  Zaminpayma Esmaeil (Department of Physics, Qazvin Branch, Islamic Azad University, Qazvin, Iran)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 521  ページ： 112-121  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,異なる部位中のAg,FeとCo原子で修飾された最適化されたグラフジインシート,ナノリボンと遷移金属の機械的および電子的性質を調べるために自己無撞着電荷密度汎関数タイトバインディングに基づく第一原理計算を行った。は二つの異なる結晶方向における単軸弾性歪下でのグラフジインシートの電子特性を計算した。グラフジイン構造用炭素結合長の値は,実験および他の理論値と一致したことを示した。著者らの結果は,電荷はAgとFe原子からのグラフジインがグラフジインからのCo原子に移動Co修飾された電荷に移動したことを示した。結果から,グラフジインは6C正孔部位における価電子帯最大と伝導帯最小の両方のための二重縮退をもつ直接半導体であることが分かった。グラフジインの修飾金属による,構造は6C正孔,トップおよびブリッジサイトに対して修飾したCoおよびFeのためのAg修飾し,間接に対する直接半導体にもなり,構造は18C正孔部位の金属挙動を示した。2,3および4,N=1の大きさのGDYナノリボンのバンド構造からの著者らの結果は,それらの全てはΓ点で非零バンドギャップであることを示した。エネルギーギャップはナノリボンサイズの増加とともに減少することが分かった。最後に,ギャップエネルギーは歪を適用すると共に増加し,また構造は直接半導体であることを見出した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 銀 ,  密度汎関数法 ,  伝導バンド ,  バンドギャップ ,  鉄 ,  *第一原理 ,  核間距離 ,  正孔 ,  結晶方位 ,  半導体 ,  電荷 ,  価電子バンド
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  ナノリボン ,  *グラフジイン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： グラフジイン ,  金属修飾 ,  電子的性質 ,  Nanoribbon

分類 (2件)： 磁性材料  (NA04040H) ,  金属の磁区及び磁化過程  (BM06112D)

タイトルに関連する用語 (4件)： 修飾 ,  グラフジイン ,  第一原理 ,  研究