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J-GLOBAL ID：201702216589967649   整理番号：17A1359861

性能,電力および面積スケーリングのための可能な共同開発10nm高性能モバイルSoC設計と技術【Powered by NICT】

10nm high performance mobile SoC design and technology co-developed for performance, power, and area scaling

著者 (27件)： Yang Sam (Qualcomm Technologies Inc., 5775 Morehouse Drive, San Diego, CA 92121, USA) ,  Liu Yanxiang (Qualcomm Technologies Inc., 5775 Morehouse Drive, San Diego, CA 92121, USA) ,  Cai Ming (Qualcomm Technologies Inc., 5775 Morehouse Drive, San Diego, CA 92121, USA) ,  Bao Jerry (Qualcomm Technologies Inc., 5775 Morehouse Drive, San Diego, CA 92121, USA) ,  Feng Peijie (Qualcomm Technologies Inc., 5775 Morehouse Drive, San Diego, CA 92121, USA) ,  Chen Xiangdong (Qualcomm Technologies Inc., 5775 Morehouse Drive, San Diego, CA 92121, USA) ,  Ge Lixin (Qualcomm Technologies Inc., 5775 Morehouse Drive, San Diego, CA 92121, USA) ,  Yuan Jun (Qualcomm Technologies Inc., 5775 Morehouse Drive, San Diego, CA 92121, USA) ,  Choi Jihong (Qualcomm Technologies Inc., 5775 Morehouse Drive, San Diego, CA 92121, USA) ,  Liu Ping (Qualcomm Technologies Inc., 5775 Morehouse Drive, San Diego, CA 92121, USA) ,  Suh Youseok (Qualcomm Technologies Inc., 5775 Morehouse Drive, San Diego, CA 92121, USA) ,  Wang Hao (Qualcomm Technologies Inc., 5775 Morehouse Drive, San Diego, CA 92121, USA) ,  Deng Jie (Qualcomm Technologies Inc., 5775 Morehouse Drive, San Diego, CA 92121, USA) ,  Gao Yandong (Qualcomm Technologies Inc., 5775 Morehouse Drive, San Diego, CA 92121, USA) ,  Yang Jackie (Qualcomm Technologies Inc., 5775 Morehouse Drive, San Diego, CA 92121, USA) ,  Wang Xiao-Yong (Qualcomm Technologies Inc., 5775 Morehouse Drive, San Diego, CA 92121, USA) ,  Yang Da (Qualcomm Technologies Inc., 5775 Morehouse Drive, San Diego, CA 92121, USA) ,  Zhu John (Qualcomm Technologies Inc., 5775 Morehouse Drive, San Diego, CA 92121, USA) ,  Penzes Paul (Qualcomm Technologies Inc., 5775 Morehouse Drive, San Diego, CA 92121, USA) ,  Song S C (Qualcomm Technologies Inc., 5775 Morehouse Drive, San Diego, CA 92121, USA) ,  Park Chulyong (Samsung Electronics) ,  Kim Sungwon (Samsung Electronics) ,  Kim Jedon (Samsung Electronics) ,  Kang Sunggun (Samsung Electronics) ,  Terzioglu Esin (Qualcomm Technologies Inc., 5775 Morehouse Drive, San Diego, CA 92121, USA) ,  Rim Ken (Qualcomm Technologies Inc., 5775 Morehouse Drive, San Diego, CA 92121, USA) ,  Chidambaram P. R. Chidi (Qualcomm Technologies Inc., 5775 Morehouse Drive, San Diego, CA 92121, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： VLSI Technology  ページ： T70-T71  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 産業の最初の10nm低電力高性能モバイルSoCは,生産における傾斜することに成功した。徹底した設計技術共同開発のおかげで,10nm SoCは,その14nmのものよりも16%速く,37%小さく,30%低い電力である。最新SoCは,ギガビットクラスモデムを特徴とし,AR/VR,AJ,機械学習,と計算を前進させるために設定した。急激に増加し配線抵抗と変動と強いレイアウト応力効果のような10nm FinFet技術スケーリングの挑戦は,製品ランプ段階スケーリングエンタイトルメントを実現するために必須である技術定義から設計と技術共同開発を説明するために考察した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 機械学習 ,  *電力 ,  *携帯電話
準シソーラス用語： 低電力化 ,  *システムオンチップ ,  *共同開発 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 人工知能  (JE08000Z)

タイトルに関連する用語 (8件)： 面積 ,  スケーリング ,  共同 ,  開発 ,  高性能 ,  モバイル ,  SOC ,  設計