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J-GLOBAL ID：201702216639487214   整理番号：17A1513798

赤外線周波数におけるペロブスカイトおよび添加半導体に基づくディープサブ波長近傍場イメージング

Deep-subwavelength near-field imaging based on perovskites and doped semiconductors at infrared frequencies

著者 (1件)： LIU Yongmin (Northeastern Univ., Massachusetts, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 10194  ページ： 101940K.1-101940K.7  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ペロブスカイト酸化物と添加半導体を用いてスーパレンズ(SL)を実験的に実証し,中赤外線波長における回折限界を超えたイメージング分解能を達成できることを示した。このSLは真性GaAs/ケイ素添加GaAs/真性GaAs/金細線電極の積層から成り,波長が20μm周辺でSL効果が得られる。走査型近傍場顕微鏡と自由電子レーザの組合せたSLスーパレンズ条件で,局在表面ポラリトンモードは近傍場信号を顕著に強化でき,それによってイメージング分解能を強化できた。

シソーラス用語： ペロブスカイト型結晶 ,  酸化物 ,  *レンズ ,  ドーピング ,  半導体 ,  赤外線 ,  近傍場 ,  画像技術 ,  限界 ,  空間分解能 ,  表面ポラリトン ,  *ヒ化ガリウム ,  積層構造 ,  自由電子レーザ ,  *光電素子
準シソーラス用語： サブ波長イメージング ,  *スーパーレンズ ,  回折限界 ,  *固体撮像素子 ,  不純物添加

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 赤外線 ,  ペロブスカイト ,  波長 ,  近傍場 ,  イメージング