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J-GLOBAL ID：201702216651721615   整理番号：17A1645832

ドーピング濃度とチャネル長によるしきい値電圧の変動の研究【Powered by NICT】

Study of the variation of the threshold voltage with the doping concentration and channel length

著者 (1件)： Maitra Subhashis (Department of Electronics and Communication Engineering, Jalpaiguri Government Engineering College, Jalpaiguri, West Bengal)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： DevIC  ページ： 388-390  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： しきい値電圧はデバイスのモデル化の場合に重要なパラメータである。しきい値電圧の変動は,特に短チャネルMOSFETの場合にデバイスの有意にモデル化に影響を及ぼす。しきい値電圧の変化も回路の解析に影響する。ドーピング濃度,表面電位,チャネル長,酸化物厚さ,温度などのようなしきい値電圧の異なるパラメータに依存するしきい値電圧のランダムドーパントゆらぎに依存した。広い平面トランジスタにおいてしきい値電圧はドレイン-ソース電圧に本質的に依存しないで,良く定義された特性が,ドレイン誘起障壁低下に起因する現代のナノメートルサイズのMOSFETではあまり明確ではない。デバイスのモデル化に及ぼす種々の文献の調査は,ドーピング濃度,チャネル長と酸化膜厚によるしきい値電圧の変動の研究の必要性を示した。しきい値電圧の変化は経験式とグラフにより研究した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸化物 ,  膜厚 ,  *電圧 ,  モデリング ,  表面電位 ,  酸化 ,  ゆらぎ ,  MOSFET ,  トランジスタ ,  実験式
準シソーラス用語： 短チャネル ,  *閾値電圧 ,  *チャネル長 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドーピング ,  チャネル長 ,  しきい値電圧 ,  研究