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J-GLOBAL ID：201702216763971045   整理番号：17A0504509

二段階プロセスで制作したAgIn₅(S/Se)₈薄膜

Thin films of AgIn₅(S/Se)₈ prepared in a two stage process

著者 (5件)： MESSINA Sarah (Universidad Autonoma de Nayarit, Nayarit, MEX) ,  RODRIGUEZ-LAZCANO Y. (Universidad Autonoma de Nayarit, Nayarit, MEX) ,  CAMPOS J. (Universidad Nacional Autonoma de Mexico, Morelos, MEX) ,  PENA Y. (Universidad Autonoma de Nuevo Leon, Nuevo Leon, MEX) ,  BARRIOS-SALGADO E. (Universidad Autonoma de Nayarit, Nayarit, MEX)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 2  ページ： 1812-1818  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AgIn₅Se₈は熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電材料である。AgIn₅(S/Se)₈薄膜をIn₂S₃-Ag₂Se積層膜の逐次化学デポジションと,デポジション後の窒素中熱アニーリングで制作した。350°Cと400°Cのデポジション後処理でAgIn₅S_8-xSe_xが形成された。膜は1.75eVの光学バンドギャップを持ち,光吸収係数は10⁴cm^-1である。光応答特性からAgIn₅(S/Se)₈薄膜はp型の光伝導性であり,電気伝導度は6.6×10^-6(0Ωcm)^-1,Seebeck係数は+18μV/Kである。

シソーラス用語： インジウム化合物 ,  *硫化物 ,  *セレン化物 ,  銀化合物 ,  *熱電材料 ,  焼なまし ,  窒素 ,  雰囲気 ,  光学ギャップ ,  吸収係数 ,  導体 ,  電気伝導率 ,  輸送係数 ,  X線回折 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  *薄膜
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  XRD ,  アニーリング処理 ,  セレン化銀 ,  光学バンドギャップ ,  光吸収係数 ,  光伝導体 ,  窒素雰囲気 ,  電気伝導度 ,  硫化インジウム

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 二段階プロセス ,  制作 ,  Se ,  薄膜