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J-GLOBAL ID：201702216773397595   整理番号：17A1550655

スケーリング間フィン分離によるマルチフィンTFETにおけるRF性能の向上【Powered by NICT】

RF performance enhancement in multi-fin TFETs by scaling inter fin separation

著者 (2件)： Thoti Narasimhulu (School of Electronics Engineering, VIT University, Chennai Campus, Chennai, India) ,  Lakshmi B. (School of Electronics Engineering, VIT University, Chennai Campus, Chennai, India)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 71  ページ： 304-309  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,1nmにスケールアップ間フィン分離(IFS)とマルチフィントンネルFET(TFET)のRF測定基準の抽出を検討した。マルチフィンTFETの構造はフィン(N)数を0から1 5に変えることにより設計した。フィンの数が増加するにつれて,駆動電流(I_D)は増殖が76μAの最大I_Dは5を達成できる。I_Dはフェムトアンペアの範囲にある漏れ電流(I_OFF)を損なうことなく得られた。IFSの種々の値に対して,固有利得(A_0),単位利得カットオフ周波数(f_t),最大発振周波数(f_max)およびアドミタンス(Y)パラメータのようなRF計量はマルチフィンTFETのために抽出した。結果はIFSの小さい値に対して,より高い固有利得が得られ,値はNの増加として影響しないことを示した。f_tとf_maxの最大値は,二つの隣接したフィン間の静電結合のために得られた。Yパラメータは,10GHzの動作周波数で抽出した。YパラメータはフィンとIFS数の増加とともに良好な値を提供することが分かった。これはIFSの高い値のための寄生効果のために起こるゲートドレイン静電容量(C_gd)の大きな値に起因した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： スケールアップ ,  静電容量 ,  遮断周波数 ,  *フィン ,  漏れ電流 ,  利得
準シソーラス用語： TCAD ,  寄生効果 ,  動作周波数 ,  Yパラメータ ,  静電結合 ,  アドミタンス ,  発振周波数 ,  駆動電流 ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： マルチフィン ,  TFET ,  IFS ,  TCAD

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： スケーリング ,  フィン ,  マルチ ,  TFET ,  RF