n-ドープ遷移金属ジカルコゲナイドの簡単な化学処理と光学的および電気的特性向上

NEUPANE Guru P.; NEUPANE Guru P.; TRAN Minh Dao; TRAN Minh Dao; YUN Seok Joon; YUN Seok Joon; KIM Hyun; KIM Hyun; SEO Changwon; SEO Changwon; LEE Jubok; LEE Jubok; HAN Gang Hee; HAN Gang Hee; SOOD A. K.; KIM Jeongyong; KIM Jeongyong

文献

J-GLOBAL ID：201702216782934684 整理番号：17A0626191

n-ドープ遷移金属ジカルコゲナイドの簡単な化学処理と光学的および電気的特性向上

Simple Chemical Treatment to n-Dope Transition-Metal Dichalcogenides and Enhance the Optical and Electrical Characteristics

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資料名：
巻： 9 号： 13 ページ： 11950-11958 発行年： 2017年04月05日
JST資料番号： W2329A ISSN： 1944-8244 CODEN： AAMICK 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

本論文では,単分子層遷移金属ジカルコゲナイド(1L-TMD)のn-ドープと同時にその光学的および電気的特性の向上もできる簡単なメタノールを用いた化学的処理方法について述べた。ナノスケールのホトルミネッセンス,Raman分光,吸収スペクトル及びイメージングにより,剥離または化学蒸着によって成長させた1L-TMDのMoS₂,WS₂,およびWSe₂を数時間メタノールに浸漬すると,電子密度が増加し,欠陥が減少することがわかった。その結果,フォトルミネッセンス,光吸収,およびキャリア移動度を高めることが出来た。メタノール処理による構造欠陥の表面再構成が光学的及び電気的特性の向上の原因であると考えられる。

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その他の無機化合物の薄膜 , 無機化合物のルミネセンス , 界面化学一般

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