文献

J-GLOBAL ID：201702216819607547   整理番号：17A1650260

現実的なバンド構造をもつAl_0 25Ga_0In0.75GaAsテラヘルツ量子カスケードレーザのモデリングと設計【Powered by NICT】

Modeling and design of Al_0.25Ga_0.75As/GaAs terahertz quantum cascade lasers with a realistic band structure

著者 (7件)： Strupiechonski Elodie (Harvard John A. Paulson School of Engineering and Applied Sciences, Harvard University, Cambridge, USA) ,  Galinski Henning (Harvard John A. Paulson School of Engineering and Applied Sciences, Harvard University, Cambridge, USA) ,  Gonzalez Maura (Centro de Investigacio ́n y de Estudios Avanzados del Instituto Polite ́cnico Nacional, Queretaro, Me ́xico) ,  Blanchard Romain (Harvard John A. Paulson School of Engineering and Applied Sciences, Harvard University, Cambridge, USA) ,  Bell David. C. (Harvard John A. Paulson School of Engineering and Applied Sciences, Harvard University, Cambridge, USA) ,  Linfield Edmund H. (Center for Nanoscale Systems, Harvard University, Cambridge, USA) ,  Capasso Federico (Harvard John A. Paulson School of Engineering and Applied Sciences, Harvard University, Cambridge, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IRMMW-THz  ページ： 1-2  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子プローブトモグラフィーによって得られたAl_0 0.25Ga_0 0.75GaAsテラヘルツ量子カスケードレーザヘテロ構造からの三次元化学的および構造的情報を用いて,QCLのバンド構造を再計算と公称構造からの結果と関連するパラメータを比較することにより,レーザのオプトエレクトロニクス特性に及ぼすAlGaAs障壁層の拡散誘起化学的粗面化処理の影響を示すことであると最終的に最適化された構造を提案した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *バンド構造 ,  オプトエレクトロニクス ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  *レーザ ,  *量子カスケードレーザ ,  三次元 ,  *モデリング ,  *テラヘルツ波 ,  最適化
準シソーラス用語： 粗化 ,  バリア層 ,  ヘテロ構造 ,  原子プローブトモグラフィー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： 現実 ,  バンド構造 ,  テラヘルツ ,  量子カスケードレーザ ,  モデリング ,  設計