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J-GLOBAL ID：201702216850466855   整理番号：17A0938623

高速重イオン照射したCeO_2とThO_2中の欠陥蓄積【Powered by NICT】

Defect accumulation in swift heavy ion-irradiated CeO₂ and ThO₂

著者 (7件)： Palomares Raul I. (Department of Nuclear Engineering, University of Tennessee, Knoxville, Tennessee 37996, USA. [e-mail]) ,  Shamblin Jacob ,  Tracy Cameron L. ,  Neuefeind Joerg ,  Ewing Rodney C. ,  Trautmann Christina ,  Lang Maik
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 5  号： 24  ページ： 12193-12201  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 中性子全散乱は2.2GeVのAuイオンを照射したCeO_2とThO_2における欠陥蓄積機構を調べるために用いた。対分布関数(PDF)解析は照射フルエンスの関数としての局所構造変化と照射誘起欠陥を特性化した。CeO_2は同じ照射条件下でThO_2以上の大きさの無秩序を示した。二材料の局所構造を,イオンフルエンスの関数として異なって進化し,類似の欠陥が生成される。PDF解析は<O O>距離~1.45Åの酸素二量体および/または過酸化物欠陥はCeO_2で形成されることを示し,一方,ThO_2における照射誘起欠陥は平均O Th O結合角の変化と局所ThO_8多面体の歪をもたらした。結合した酸素欠陥,過酸化物のような,CeO_2におけるバルク酸素輸送にどのように影響するかを理解することは,高速イオン伝導体応用のための蛍石構造材料の特性を予測し,改善する良好に役立つであろう。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 金 ,  結合角 ,  酸素 ,  *イオン ,  複合材料 ,  過酸化物 ,  フルエンス
準シソーラス用語： 蛍石型構造 ,  高速イオン伝導 ,  酸素輸送 ,  酸素欠陥 ,  イオンフルエンス ,  局所構造 ,  対分布関数 ,  *高速重イオン照射 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高速重イオン照射 ,  欠陥 ,  蓄積