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J-GLOBAL ID：201702216860716244   整理番号：17A1345831

Cu/a Si/Ptメムリスタに基づくバイオシナプスの短期及び長期可塑性のエミュレーション【Powered by NICT】

Emulating Short-Term and Long-Term Plasticity of Bio-Synapse Based on Cu/a-Si/Pt Memristor

著者 (12件)： Zhang Xumeng (Key Laboratory of Microelectronics Device & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Liu Sen (Key Laboratory of Microelectronics Device & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Zhao Xiaolong (Key Laboratory of Microelectronics Device & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Wu Facai (Key Laboratory of Microelectronics Device & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Wu Quantan (Key Laboratory of Microelectronics Device & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Wang Wei (Key Laboratory of Microelectronics Device & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Cao Rongrong (Key Laboratory of Microelectronics Device & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Fang Yilin (Key Laboratory of Microelectronics Device & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Lv Hangbing (Key Laboratory of Microelectronics Device & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Long Shibing (Key Laboratory of Microelectronics Device & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Liu Qi (Key Laboratory of Microelectronics Device & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Liu Ming (Key Laboratory of Microelectronics Device & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 9  ページ： 1208-1211  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バイオシナプスの短期可塑性と長期可塑性は神経回路における重要な生理学的機能を支持すると考えられている。本短報において,筆者らは単一Cu/a Si/Ptメモリスタにおける短期および長期シナプス機能をエミュレートした。a-Si層へのCu陽イオンの注入量を制御することにより,デバイスは,揮発性と非揮発性抵抗スイッチング挙動を示した。Cu/a Si/Ptデバイスのユニークな特性のために,短期シナプス機能,すなわち短期増強,対パルス促進と長期的機能,すなわち,長期増強/抑制,スパイクタイミング依存可塑性は,メモリスタの模倣に成功した。さらに,デバイスの長期記憶と短期記憶からの遷移も反復刺激下で観察した。実験結果は,種々のシナプス挙動とCu/a Si/Ptメモリスタは脳インスパイアド計算システムにおける潜在的応用を持つことを確認した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *エミュレーション ,  カチオン ,  生理学 ,  パルス ,  *シナプス ,  揮発性 ,  *塑性 ,  長期増強 ,  *銅 ,  計算機システム ,  非揮発性
準シソーラス用語： 短期記憶 ,  長期記憶 ,  抵抗スイッチング ,  *メモリスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (9件)： Cu ,  Si ,  Pt ,  メムリスタ ,  シナプス ,  短期 ,  長期 ,  可塑性 ,  エミュレーション