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J-GLOBAL ID：201702216998774154   整理番号：17A1036883

MEMSに適用したAl-Alウエハレベル熱圧着【Powered by NICT】

Al-Al wafer-level thermocompression bonding applied for MEMS

著者 (6件)： Taklo M.M. Visser (SINTEF, Forskningsveien 1, 0373 Oslo, Norway) ,  Schjolberg-Henriksen K. (SINTEF, Forskningsveien 1, 0373 Oslo, Norway) ,  Malik N. (Department of Physics, University of Oslo, 0313 Oslo, Norway) ,  Poppe E. (SINTEF, Forskningsveien 1, 0373 Oslo, Norway) ,  Moe S.T. (SINTEF, Forskningsveien 1, 0373 Oslo, Norway) ,  Finstad T.G. (Department of Physics, University of Oslo, 0313 Oslo, Norway)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： LTB-3D  ページ： 11  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アルミニウム(Al)を用いたウエハレベル熱圧着(TCB)は,MEMSのためのハーメチックシール法として提示した。プロセスは,金(Au)および銅(Cu)のような金属を用いたTCB,研究室における交差汚染に関する問題にCMOS適合性の代替手段である。AuとCuはTCBに一般的に使用される,これらの金属の酸化は限られた(Au)または容易に制御された(Cu)。しかし,Alの酸化にもかかわらず,著者らの実験結果と理論的考察は,Alを用いたTCBをその場表面処理能力を持たない市販ボンダを用いた300~350°Cまでの温度でも実現可能であることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： スループット ,  金属 ,  金 ,  *MEMS ,  銅 ,  CMOS ,  *アルミニウム ,  ハーメチックシール ,  適応性
準シソーラス用語： 交差汚染 ,  *熱圧着 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： MEMS ,  Al ,  ウエハレベル ,  熱圧着