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J-GLOBAL ID：201702217016711032   整理番号：17A1781555

スイッチング条件下でのトランジスタのランダムテレグラフノイズに及ぼす電源電圧の影響【Powered by NICT】

Effect of supply voltage on random telegraph noise of transistors under switching condition

著者 (2件)： Islam A.K.M. Mahfuzul (Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, Meguro-ku, Tokyo, Japan) ,  Onodera Hidetoshi (Graduate School of Informatics, Kyoto University, Sakyo-ku, Kyoto, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PATMOS  ページ： 1-8  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 広範囲電圧電圧の下で動作するディジタル回路の効率的な設計のために,ゲート領域と供給電圧の両方の依存性を組み込んだRTNモデルが必要である。本論文では,異なる供給電圧下でRTNによる遅延分布を特性化した。遅延分布を統計的解析によるしきい値電圧分布に変換した。65nm ケイ素-on-Thin-Buried-オキシド高性能プロセスによる測定結果はしきい値電圧分布は0.4Vから1.0Vの供給電圧にわたってほとんど同じままであることを明らかにしたさらに,nMOSFETとpMOSFETΔΥτ分布も同一であると推定された。しかし,試験およびポストシリコン調整法のための関心事である供給電圧を横切るRTN振幅の間の観察された低い相関。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電圧 ,  *スイッチング ,  酸化物 ,  *トランジスタ ,  統計解析 ,  キャラクタリゼーション ,  ディジタル回路 ,  モデル
準シソーラス用語： 調整法 ,  pMOSFET ,  nMOSFET ,  閾値電圧 ,  供給電圧 ,  *電源電圧 ,  *ランダムテレグラフノイズ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  雑音一般  (ND04010J)

タイトルに関連する用語 (4件)： スイッチング ,  トランジスタ ,  ランダムテレグラフノイズ ,  電源電圧