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J-GLOBAL ID：201702217074760826   整理番号：17A1350236

改良された光電流-時間応答のための浮遊ReSi FET【Powered by NICT】

Suspended ReSi FET for improved photocurrent-time response

著者 (4件)： Mukherjee Bablu (Dept. of Electrical Engineering, IIT Bombay, Powai, Mumbai, India - 400076) ,  Thakar Kartikey (Dept. of Electrical Engineering, IIT Bombay, Powai, Mumbai, India - 400076) ,  Kaushik Naveen (Dept. of Electrical Engineering, IIT Bombay, Powai, Mumbai, India - 400076) ,  Lodha Saurabh (Dept. of Electrical Engineering, IIT Bombay, Powai, Mumbai, India - 400076)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： DRC  ページ： 1-2  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2d遷移金属ジカルコゲナイド(TMD)における強い光-物質相互作用は,多くのオプトエレクトロニクス応用[1 7]のための重要な機会を提供する。光検出器デバイスでは,光生成キャリアの輸送時間はそれらの移動度,デバイスの光伝導利得と応答時間に影響するによって制限される。本研究では,広いレーザビーム照射下で数層懸濁ReS_2ベースFETの光電流-時間応答の顕著な改善を報告した。ReS_2における高キャリア寿命は,トラップの存在に起因する[1+2]。担持(SiO_2)トランジスタ,光生成キャリア[1]の寿命を減少させ,従ってデバイスの光電流-時間応答の改善を助けると比較して懸濁ReS_2デバイスは界面欠陥[5]を持っていた。さらに,より少ない界面トラップによる懸濁素子における改善された移動度も光電流-時間応答を強化するのに役立った。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *浮遊 ,  レーザビーム ,  光検出器 ,  光伝導 ,  キャリア寿命 ,  光生成 ,  *光電流 ,  利得 ,  トランジスタ ,  応答時間 ,  オプトエレクトロニクス ,  移動度
準シソーラス用語： 界面トラップ ,  界面欠陥 ,  *時間応答 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： 光電流 ,  時間応答 ,  浮遊 ,  FET