文献

J-GLOBAL ID：201702217201012008   整理番号：17A0704572

外部電場中のグラフェン量子ドットの光学的選択則【Powered by NICT】

The optical selection rules of a graphene quantum dot in external electric fields

著者 (2件)： Dong Qing-Rui (School of Physics and Electronics, Shandong Normal University, Jinan, Shandong 250014, People’s Republic of China. [e-mail]) ,  Liu Chun-Xiang
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 37  ページ： 22771-22776  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三つの典型的な面内電場における単一電子三角形ジグザググラフェン量子ドットを理論的に調べた。ドットの遠赤外吸収スペクトルを,強束縛法により計算し,次に光学選択則は,対応するエネルギースペクトルと対照的に同定した。著者らの結果は,ドットのC3対称性に起因する顕著な光選択則が存在することを示した。電場はC3対称性を有する場合,吸収スペクトルの二吸収ピークが存在した。系のC3対称性は電場による損傷であるので,最強ピークの強度と禁制遷移の数が徐々に減少した。さらに偏りはピーク強度の減少とも禁制遷移を引き起こす。著者らの知見は,グラフェン量子ドット電子および光電子デバイスへの応用に有用である可能性がある。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 禁止遷移 ,  *電場 ,  吸収スペクトル ,  *量子ドット ,  エネルギー分布 ,  対称性 ,  *選択則 ,  遠赤外線
準シソーラス用語： 光電子デバイス ,  ピーク強度 ,  単一電子 ,  *グラフェン量子ドット ,  *外部電場 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

タイトルに関連する用語 (4件)： 外部電場 ,  グラフェン量子ドット ,  光学 ,  選択則