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J-GLOBAL ID：201702217206016960   整理番号：17A1021990

金属硫化物前駆体溶液アプローチとその応用量子ドット薄膜によるp型Cu_xS透明導電性薄膜の容易な作製【Powered by NICT】

Facile fabrication of p-type Cu_xS transparent conducting thin films by metal sulfide precursor solution approach and their application in quantum dot thin films

著者 (9件)： Li Shenjie (School of Chemistry and Chemical Engineering, HeFei University of Technology, Hefei, AnHui, 230009, People’s Republic of China) ,  Li Shenjie (State Key Laboratory of Rare Earth Resource Utilization, Changchun Institute of Applied Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Changchun, 130022, People’s Republic of China) ,  Zha Tianyong (School of Chemistry and Chemical Engineering, HeFei University of Technology, Hefei, AnHui, 230009, People’s Republic of China) ,  Wang Qiang (School of Chemistry and Chemical Engineering, HeFei University of Technology, Hefei, AnHui, 230009, People’s Republic of China) ,  Wang Chengyu (School of Chemistry and Chemical Engineering, HeFei University of Technology, Hefei, AnHui, 230009, People’s Republic of China) ,  Ren Yujiao (School of Chemistry and Chemical Engineering, HeFei University of Technology, Hefei, AnHui, 230009, People’s Republic of China) ,  Chen Yanyan (School of Chemistry and Chemical Engineering, HeFei University of Technology, Hefei, AnHui, 230009, People’s Republic of China) ,  Chen Yanyan (State Key Laboratory of Rare Earth Resource Utilization, Changchun Institute of Applied Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Changchun, 130022, People’s Republic of China) ,  Pan Daocheng (State Key Laboratory of Rare Earth Resource Utilization, Changchun Institute of Applied Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Changchun, 130022, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 716  ページ： 278-283  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガラス上に引き上げ法により,前駆体として銅(I)酸化物とブチル-ジチオカルバミン酸を用いたP型Cu_xS透明で導電性の薄膜(TCTFs)の作製のための容易な経路を提示した。蒸着まま高導電性結晶Cu_xS膜は高いキャリア濃度(~3.11 × 10~22 cm~ 3),低電気抵抗率(~1.02 × 10~ 4 Ω cm),コンクルーシブp型伝導を示した。X線回折研究は高い結晶性を示し,そのような膜のUV-vis-NIR領域における光透過スペクトルを記録し,透明度は1.52eVのバンドギャップと75%以上であったことを示した。室温シート抵抗は焼成温度の増加とともに9.9から302.4Ωsq~ 1から増加した。Cu_xS/量子ドット両面薄膜を作製し,実験結果は,発光,透明,導電性Cu_xS/CuドープZn_yCd_1yS薄膜は薄膜太陽電池の非常に高い応用可能性を持つことを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気抵抗率 ,  *薄膜 ,  透明度 ,  *硫化物 ,  *導電性 ,  バンドギャップ ,  結晶 ,  *前駆体 ,  ガラス ,  シート抵抗 ,  キャリア密度 ,  *量子ドット ,  酸化物
準シソーラス用語： 薄膜太陽電池 ,  光透過スペクトル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： P型 ,  金属硫化物前駆体溶液はアプローチ ,  引抜き法 ,  量子ドット薄膜

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： 金属硫化物 ,  前駆体 ,  溶液 ,  応用 ,  量子ドット ,  薄膜 ,  透明導電性薄膜 ,  作製