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J-GLOBAL ID：201702217277946420   整理番号：17A1999743

RVO_3(R=La,Y)の電子構造:電子(U)の効果と交換(J)相関【Powered by NICT】

Electronic structure of RVO₃ (R = La and Y): Effect of electron (U) and exchange (J) correlations

著者 (3件)： Kumari Spriha (Department of Physical Sciences, Indian Institute of Science Education and Research Kolkata, Mohanpur 741246, Nadia, India) ,  Paul Sanhita (Department of Physical Sciences, Indian Institute of Science Education and Research Kolkata, Mohanpur 741246, Nadia, India) ,  Raj Satyabrata (Department of Physical Sciences, Indian Institute of Science Education and Research Kolkata, Mohanpur 741246, Nadia, India)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 268  ページ： 20-25  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論の枠内で全電子フルポテンシャル線形増強平面波法を用いてRVO_3(R=LaおよびY)化合物の電子構造に対する電子相関エネルギー(U)及び交換相関エネルギー(J)の影響を調べた。LaVO_3とYVO_3は1.1eVと1.2eVのバンドギャップを持つ絶縁体であることが知られているそれぞれが著者らの計算された電子バンド構造を,一般化勾配近似(GGA)形式を有する金属特性を示した。GGA+Uアプローチが,正確な基底状態の両方LaVO_3とYVO_3用絶縁バンド構造を記述することに成功した。しかし,この絶縁基底状態はパラメータを調整することにより得られ,Uは正しい実験バンドギャップを再現する。オンサイトCoulombポテンシャルのための最適U値を決定するために,Jを一定に保ちながらU_eff(UとJの差)パラメータ変動による一連のGGA+U計算を行った。LaVO_3とYVO_3のバンドギャップへの影響を見るためにU_effを一定に保ちながら交換パラメータJ,(Uのそれと同じ強さではないが)を変化させた,UとJの両方がこれらの二つの化合物の電子構造に大きな影響を持つことが示された。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： Coulombポテンシャル ,  バンドギャップ ,  絶縁体 ,  相関エネルギー ,  金属性 ,  基底状態 ,  *電子構造 ,  バンド構造 ,  密度汎関数法 ,  電子相関
準シソーラス用語： GGA+U ,  一般化勾配近似 ,  電子バンド構造 ,  FPLAPW法 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： A酸化物 ,  C.ab initio計算 ,  D.電子構造

分類 (3件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  X線スペクトル一般  (BM08101P) ,  酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電子構造 ,  電子 ,  相関