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J-GLOBAL ID：201702217306933753   整理番号：17A1006737

透明導電体の新しいキャリヤドーピング機構:酸化物母材に埋め込まれたAgナノ粒子からの電子供与

Novel Carrier Doping Mechanism for Transparent Conductor: Electron Donation from Embedded Ag Nanoparticles to the Oxide Matrix

著者 (7件)： HUANG Po-Shun (Univ. Pittsburgh, Pennsylvania, USA) ,  QIN Fen (Univ. Pittsburgh, Pennsylvania, USA) ,  XIONG Ziye (Univ. Pittsburgh, Pennsylvania, USA) ,  SHIM Hyun-Woo (Univ. Pittsburgh, Pennsylvania, USA) ,  GAO Tongchuan (Univ. Pittsburgh, Pennsylvania, USA) ,  LEU Paul (Univ. Pittsburgh, Pennsylvania, USA) ,  LEE Jung-Kun (Univ. Pittsburgh, Pennsylvania, USA)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 23  ページ： 19973-19979  発行年： 2017年06月14日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： キャリヤ濃度とキャリヤ易動度間のトレードオフは,伝統的な透明導電酸化(TCO)膜の固有の問題である。この研究では,Agナノ粒子(NP)をAlドープZnO(AZO)膜に埋め込むことによりTCO膜の電子濃度をキャリヤ易動度に影響を与えることなく増加できることを実証した。AgNPをAZNに0.7体積%まで増加させると,電子濃度は4×10²⁰cm^-3まで上昇する。電子濃度の増加に対して,埋め込まれたAgNPは,室温でのキャリヤ易動度に影響を与えない。抵抗が1×10^-3Ω・cmより小さい混合膜の光透過率は,可視光で85%より上を維持している。

シソーラス用語： *透明導電膜 ,  *キャリア密度 ,  *キャリア移動度 ,  *銀 ,  *ナノ粒子 ,  *埋込み【挿入】 ,  *酸化亜鉛 ,  *ドーピング ,  アルミニウム ,  *電子 ,  透過率 ,  電気抵抗 ,  界面 ,  電子移動
準シソーラス用語： 光透過率

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 導電体 ,  酸化物 ,  母材 ,  Agナノ粒子 ,  電子