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J-GLOBAL ID：201702217416164993   整理番号：17A1054479

多結晶テルル化物薄膜の特性に及ぼすガリウムドーピングの影響

Effect of Gallium Doping on the Characteristic Properties of Polycrystalline Cadmium Telluride Thin Film

著者 (2件)： OJO A.A. (Sheffield Hallam Univ., Sheffield, GBR) ,  DHARMADASA I.M. (Sheffield Hallam Univ., Sheffield, GBR)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 46  号： 8  ページ： 5127-5135  発行年： 2017年08月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CdTeは,単一のp-n接合に対して周囲温度で1.45eVのほぼ理想的な直接バンドギャップを有する優れたII-VI半導体材料である。本稿では,GaドープCdTe多結晶薄膜を,硝酸カドミウム(Cd(NO₃)₂・4H₂O)および酸化テルル(TeO₂)を含む水性電解質からガラス/フッ素ドープ酸化錫基板上に好適に電着作成した。X線回折(XRD),紫外可視分光光度法(UV-Vis Spectrophotometry)を用いて,堆積後の層の構造,光学,形態学的および電子的特性を分析した。XRDは,0ppmから20ppmドーピングで(111)立方晶CdTeピークの増加を示した。光学分析は,0ppmから20ppmまでのCdTe浴のその場Gaドーピングによる吸収端の改善を示した。形態学的には,50ppm以上の高濃度Gaドープにおいて,粒径の減少が観察された。

シソーラス用語： *テルル化カドミウム ,  薄膜 ,  *ガリウム ,  *ドーピング ,  バンドギャップ ,  電気的性質 ,  光学的性質
準シソーラス用語： 光学特性 ,  多結晶薄膜 ,  直接バンドギャップ ,  電気的特性

分類 (2件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 多結晶 ,  テルル化物 ,  薄膜 ,  ガリウム ,  ドーピング