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J-GLOBAL ID：201702217582482120   整理番号：17A1729282

低電圧応用のための改良型電圧クランプISFET読出し回路【Powered by NICT】

A modified voltage-clamped ISFET readout circuit for low voltage applications

著者 (2件)： Thanapitak Surachoke (Department of Electrical Engineering, Mahidol University, Thailand) ,  Sawigun Chutham (Department of Electronic Engineering, Mahanakorn University of Technology, Thailand)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ECTI-CON  ページ： 135-138  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,0.8V電源で動作するISFET読出し回路を提案し,それらの両電流と電圧に及ぼすpHを感知する。読み出し回路を弱反転領域で動作する一つのゲート-ソース電圧と二つのドレイン-ソース電圧を必要とする。pH=7での消費電力は2.5nWである。この読み出し回路の出力電圧は直線的にpHと連動しその電流出力はpHに指数関数であった。シミュレーション結果は,0.35μm標準CMOSプロセスで行った。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電圧 ,  *クランプ ,  電流 ,  シミュレーション ,  消費電力 ,  *ISFET ,  指数関数
準シソーラス用語： CMOSプロセス ,  出力電圧 ,  *読出回路 ,  *低電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： その他の電子回路  (NC05090X) ,  電源回路  (NC05060Q) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 低電圧 ,  応用 ,  クランプ ,  ISFET ,  読出し回路