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J-GLOBAL ID：201702217769312825   整理番号：17A0328775

紙基板上のフレキシブルIn_2O_3ナノワイヤトランジスタ【Powered by NICT】

Flexible In₂O₃ Nanowire Transistors on Paper Substrates

著者 (3件)： Liu Huixuan (Department of Physics, Jiangxi Science and Technology Normal University, Nanchang, China) ,  Li Jing (Department of Physics, Jiangxi Science and Technology Normal University, Nanchang, China) ,  Tan Rongri (Department of Physics, Jiangxi Science and Technology Normal University, Nanchang, China)
資料名： IEEE Journal of the Electron Devices Society  (IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻： 5  号： 2  ページ： 141-144  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2429A  ISSN： 2168-6734  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ミクロポーラスSiO_2~をベースにした固体電解質によりゲート制御されるフレキシブルIn_2O_3ナノワイヤトランジスタは室温で紙基板上に作製した。これらのデバイスの低電圧(1.0 V)運転は微多孔質SiO_2固体電解質,室温で堆積した(20Hzで1.73μF/cm~2)の大きな電気二重層静電容量のために実現した。紙ベースナノワイヤトランジスタのサブしきい値スイング,電流オン/オフ比および電界効果移動度は74mV/decade,1.7×10~6,及び218.3cm~/V.sであった。これら低電圧紙ベースナノワイヤトランジスタは,携帯型フレキシブル紙エレクトロニクスと低コスト携帯型センサにおける利用のための有望性を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 携帯型 ,  電子技術 ,  電流 ,  センサ ,  電気二重層 ,  *固体電解質 ,  静電容量
準シソーラス用語： 電界効果移動度 ,  サブ閾値 ,  低電圧 ,  ゲート制御 ,  マイクロポーラス ,  *ナノワイヤトランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (2件)： 紙 ,  ナノワイヤトランジスタ