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J-GLOBAL ID：201702217837779470   整理番号：17A0830924

化学浴析出法による熱酸化したSi(111)基板上に成長させたPbSe膜の形態と微細構造の変化【Powered by NICT】

Morphological and microstructural evolution of PbSe films grown on thermally oxidized Si (111) substrates by chemical bath deposition

著者 (4件)： Suh Youngjoon (Center for Electronic Materials, Korea Institute of Science and Technology, 5 Hwarang-ro 14-gil, Seongbuk-gu, Seoul 02792, Republic of Korea) ,  Suh Sang-Hee (Center for Electronic Materials, Korea Institute of Science and Technology, 5 Hwarang-ro 14-gil, Seongbuk-gu, Seoul 02792, Republic of Korea) ,  Lee Soo Yeon (Advanced Analysis Center, Korea Institute of Science and Technology, 5 Hwarang-ro 14-gil, Seongbuk-gu, Seoul 02792, Republic of Korea) ,  Kim Gyeung-Ho (Advanced Analysis Center, Korea Institute of Science and Technology, 5 Hwarang-ro 14-gil, Seongbuk-gu, Seoul 02792, Republic of Korea)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 628  ページ： 148-157  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学浴堆積の間に熱的に酸化したSi(111)基板上にPbSe膜の形態と微細構造の変化をSEM,XRDおよびTEMにより調べた。堆積の非常に初期の段階では,サブミクロンスケールの半球状粒子が基板上に形成されるが,それらは堆積時間と共に成長した。半球粒子はPbSe,PbSeO_4,PbO_2ナノ結晶から構成されている。半球粒子の出現後,小さな単結晶PbSe立方体粒子は,半球状粒子に形成し,堆積時間と共に成長を始める。堆積の終わりに,半球状粒子は立方体粒子によって置換される。クラスタ機構は蒸着の初期段階で作動したが,堆積の最後の段階で支配的イオン機構。古典的不均一核形成理論は,半球状粒子は初期段階で核形成される理由を説明するに必要であり,立方体粒子は堆積の最後の段階で形成された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *セレン化鉛 ,  クラスタ ,  *形態 ,  ナノ結晶 ,  *熱酸化 ,  *微細構造 ,  単結晶 ,  核形成 ,  X線回折
準シソーラス用語： 不均一核形成 ,  六面体 ,  球状粒子 ,  *シリコン(111) ,  *化学浴析出 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： セレン化鉛 ,  化学浴析出 ,  Morphology ,  走査型電子顕微鏡観察 ,  透過型電子顕微鏡観察

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 化学浴析出法 ,  熱酸化 ,  Si ,  成長 ,  PbSe ,  形態 ,  微細構造