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J-GLOBAL ID：201702218025065473   整理番号：17A1778639

高抵抗率シリコン基板上のRF損失を減少させる界面を持つ薄膜層【Powered by NICT】

Thin-Film layers with interfaces that reduce RF losses on High-Resistivity silicon substrates

著者 (3件)： Evseev S.B. (Dept. Microelectronics, Delft University of Technology, Delft, The Netherlands) ,  Milosavljevic S. (Dept. Microelectronics, Delft University of Technology, Delft, The Netherlands) ,  Nanver L.K. (Semiconductor Components, MESA+ Nanolab, University of Twente, Enschede, The Netherlands)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： BCTM  ページ： 21-24  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高抵抗Si(HRS)基板上に高周波(RF)損失はSiC,SiNとSiO_2の薄膜からなるいくつかの異なる表面不動態化層を研究した多くの組み合わせでは,導電性表面チャネルからの損失は減少し,薄膜の間の界面の数の増加が有益であることが分かった。いくつかのケースでは表面損失を完全に除去した。例えば,プラズマ増強化学蒸着(PECVD)α-SiC層nm厚とSiC:N界面層を形成するために850°Cで窒化またはSiN成長に曝露した衛星細胞の数十まで,1.6dB/cmの全損失の値が達成された。これらの層の分析は,Si表面に沿ってコプレーナ導波路(CPW),静電容量-電圧特性とシート抵抗に及ぼすRF損失の温度依存性の測定を用いて行った。全体的な結果は,固定および移動両方の電荷を保存する薄膜は非常に欠陥が高抵抗界面層に垂直な電流経路を可能にすると仮定することにより説明できる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 窒化 ,  HF【周波数】 ,  シート抵抗 ,  *界面 ,  *電気抵抗率 ,  炭化ケイ素 ,  温度依存性 ,  プラズマCVD ,  ケイ素 ,  静電容量 ,  コプレーナ導波路 ,  *薄膜
準シソーラス用語： 界面層 ,  表面不動態化 ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： 抵抗率 ,  シリコン基板 ,  RF ,  損失 ,  界面 ,  薄膜層