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J-GLOBAL ID：201702218034277361   整理番号：17A1627444

Zn_3X_2(X=N, P, As)化合物のバンド構造,化学結合,及び光学特性【Powered by NICT】

Band structure features, chemical bonding and optical properties of Zn₃X₂ (X = N, P, As) compounds

著者 (4件)： Ullah Mazhar (Materials Modeling Lab, Department of Physics, Islamia College University, Peshawar, Pakistan) ,  Murtaza G. (Materials Modeling Lab, Department of Physics, Islamia College University, Peshawar, Pakistan) ,  Yaseen M. (Department of Physics, University of Agriculture, Faisalabad, 38040, Pakistan) ,  Khan Saleem Ayaz (New Technologies-Research Center, University of West Bohemia, Univerzitni 8, 306 14, Pilsen, Czech Republic)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 728  ページ： 1226-1234  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,密度汎関数理論の枠内で高精度な全電子フルポテンシャル線形増強平面波法を用いてZn_3X_2(X=N, P, As)化合物の構造的,電子的および光学的挙動を報告した。立方晶Zn_3N_2(空間群I3),Zn_3P_2とZn_3As_2(空間群Pn3m)と正方晶Zn_3P_2とZn_3As_2(空間群P4_2/nmc)の格子パラメータは実験的に測定された値に一致していた。Zn_3N_2は直接バンドギャップ半導体である。さらに,Zn_3P_2とZn_3As_2は立方晶の金属性であることを見出され,正方晶対称性の半導体であった。誘電関数,屈折率,消光係数,光学伝導率,吸収係数とこれらの化合物の反射率の実部と虚部のような光学的性質も計算した。化合物の直接バンドギャップ性質は近赤外,可視および低周波紫外エネルギーにおけるそれらの光学活性を示した。それ故,これらの材料はオプトエレクトロニクス応用に有用である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 格子定数 ,  空間群 ,  吸収係数 ,  密度汎関数法 ,  屈折率 ,  *化学結合 ,  反射率 ,  誘電関数 ,  半導体 ,  正方晶系 ,  *バンド構造 ,  オプトエレクトロニクス
準シソーラス用語： 光学伝導率 ,  直接バンドギャップ ,  FPLAPW法 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： DFT ,  光学材料 ,  電子構造 ,  電子密度

分類 (1件)： ろう付  (WC07050C)

タイトルに関連する用語 (3件)： バンド構造 ,  化学結合 ,  光学特性