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J-GLOBAL ID：201702218085296870   整理番号：17A1494354

グラフェン上でのホルムアルデヒドの吸着【Powered by NICT】

Formaldehyde adsorption on graphane

著者 (3件)： Ventura-Macias Emiliano (Centro de Nanociencias y Nanotecnologia, Universidad Nacional Autonoma de Mexico, Apartado Postal 14, Ensenada, Baja California Codigo Postal 22800, Mexico) ,  Guerrero-Sanchez J. (Centro de Nanociencias y Nanotecnologia, Universidad Nacional Autonoma de Mexico, Apartado Postal 14, Ensenada, Baja California Codigo Postal 22800, Mexico) ,  Takeuchi Noboru (Centro de Nanociencias y Nanotecnologia, Universidad Nacional Autonoma de Mexico, Apartado Postal 14, Ensenada, Baja California Codigo Postal 22800, Mexico)
資料名： Computational & Theoretical Chemistry  (Computational & Theoretical Chemistry)
巻： 1117  ページ： 119-123  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2300A  ISSN： 2210-271X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理計算を用いて,水素化グラフェン基板上のホルムアルデヒド分子,自由ラジカル開始反応の吸着を研究した。この種の反応はグラフェン層,ホルムアルデヒド分子の酸素原子が付着に及ぼす水素空格子点で始まる。,最近接水素原子はホルムアルデヒドの炭素原子による抽出,安定な分子を形成し,グラフェン基板上の新しいダングリングボンドを背後に残した。著者らの計算は,反応は0.56eVであり,シリカンの場合よりも大きいのためのエネルギー障壁を持ち,グラフェンは,ホルムアルデヒド吸着のための非常に良好な基質ではないことを示した。電子構造とスピン密度分布の解析は,提案した反応を理解するのに役立つ。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *吸着 ,  スピン密度 ,  水素 ,  *グラフェン ,  基質 ,  計算 ,  炭素 ,  電子構造 ,  ラジカル ,  ダングリングボンド ,  脂肪族アルデヒド
準シソーラス用語： エネルギー障壁 ,  酸素原子 ,  グラファン ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： グラフェン ,  ホルムアルデヒド ,  水素引抜き ,  連鎖反応

分類 (5件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  貴金属触媒  (CB06122I) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B) ,  固体の表面構造一般  (BK15010E) ,  吸着の電子論  (CB12042Y)

物質索引 (1件)： ホルムアルデヒド

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフェン ,  ホルムアルデヒド ,  吸着