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J-GLOBAL ID：201702218111412782   整理番号：17A0750118

太陽光発電のためのSb_2(Se_1-xS_x)_3合金膜とその応用を生成するためのその場硫化【Powered by NICT】

In situ sulfurization to generate Sb₂(Se_{1 - x}S_x)₃ alloyed films and their application for photovoltaics

著者 (14件)： Yang Bo (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics (WNLO) and School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology (HUST), Wuhan, 430074, China) ,  Yang Bo (Shenzhen R&D Center of Huazhong University of Science and Technology, Shenzhen, China) ,  Qin Sikai (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics (WNLO) and School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology (HUST), Wuhan, 430074, China) ,  Qin Sikai (Shenzhen R&D Center of Huazhong University of Science and Technology, Shenzhen, China) ,  Xue Ding-jiang (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics (WNLO) and School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology (HUST), Wuhan, 430074, China) ,  Xue Ding-jiang (Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, Key Laboratory of Molecular Nanostructure and Nanotechnology, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Science, Beijing, 100190, China) ,  Chen Chao (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics (WNLO) and School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology (HUST), Wuhan, 430074, China) ,  Chen Chao (Shenzhen R&D Center of Huazhong University of Science and Technology, Shenzhen, China) ,  He Yi-su (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics (WNLO) and School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology (HUST), Wuhan, 430074, China) ,  He Yi-su (Shenzhen R&D Center of Huazhong University of Science and Technology, Shenzhen, China) ,  Niu Dongmei (Institute of Super-microstructure and Ultrafast Process in Advanced Materials, School of Physics and Electronics, the Central South University, Changsha, Hunan, 410083, China) ,  Huang Han (Institute of Super-microstructure and Ultrafast Process in Advanced Materials, School of Physics and Electronics, the Central South University, Changsha, Hunan, 410083, China) ,  Tang Jiang (Wuhan National Laboratory for Optoelectronics (WNLO) and School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology (HUST), Wuhan, 430074, China) ,  Tang Jiang (Shenzhen R&D Center of Huazhong University of Science and Technology, Shenzhen, China)
資料名： Progress in Photovoltaics  (Progress in Photovoltaics)
巻： 25  号： 1  ページ： 113-122  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0463A  ISSN： 1062-7995  CODEN： PPHOED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： その調整可能なバンドギャップとバンド位置のために,Sb_2(Se_1-xS_x)3(0≦x≦1)が光電デバイス応用のための有望な光吸収材料である。しかし,単相多結晶Sb_2(Se_1-xS_x)3薄膜の合成と特性評価には系統的研究が報告されている。急速熱蒸発プロセスへのその場硫化を導入することにより,x=0~0.09,0.20,0.31,および0.43の単相,高結晶性Sb_2(Se_1-xS_x)3膜のシリーズが得られ,対応するバンドギャップ,バンド位置及び膜形態完全に明らかにした。さらに,基板ITO/CdS/Sb_2(Se_1-xS_x)3Au構造をもつ太陽電池を作製し,注意深く最適化した。最後に,5.79%の太陽変換効率を持つチャンピオンデバイスは均一なSb_2(Se_0 0.80S_0.5s0.20)3吸収層を用いて得られた。実験的調査では,Sb_2(Se_1-xS_x)3は更なる最適化の価値がある非常に有望な吸収体材料であることを確認した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  最適化 ,  多結晶 ,  *太陽光発電 ,  吸収体 ,  蒸発 ,  *太陽 ,  薄膜 ,  結晶度 ,  キャラクタリゼーション ,  *硫化 ,  太陽電池 ,  単相
準シソーラス用語： 変換効率 ,  光吸収材 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Sb2(Se1 xSx)3 ,  急速熱蒸発 ,  その場硫化 ,  薄膜 ,  太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 太陽光発電 ,  合金 ,  応用 ,  硫化