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J-GLOBAL ID：201702218186969498   整理番号：17A1439966

円錐形接触の一段階統合による制御可能な有機抵抗スイッチング【Powered by NICT】

Controllable Organic Resistive Switching Achieved by One-Step Integration of Cone-Shaped Contact

著者 (8件)： Ling Haifeng (Key Laboratory for Organic Electronics and Information Displays (KLOEID), Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts & Telecommunications, 9 Wenyuan Road, Nanjing, 210023, China) ,  Yi Mingdong (Key Laboratory for Organic Electronics and Information Displays (KLOEID), Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts & Telecommunications, 9 Wenyuan Road, Nanjing, 210023, China) ,  Nagai Masaru (Key Laboratory of Flexible Electronics (KLOFE), Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing Tech University, 30 South Puzhu Road, Nanjing, 211816, China) ,  Xie Linghai (Key Laboratory for Organic Electronics and Information Displays (KLOEID), Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts & Telecommunications, 9 Wenyuan Road, Nanjing, 210023, China) ,  Wang Laiyuan (Key Laboratory for Organic Electronics and Information Displays (KLOEID), Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts & Telecommunications, 9 Wenyuan Road, Nanjing, 210023, China) ,  Hu Bo (Key Laboratory for Organic Electronics and Information Displays (KLOEID), Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts & Telecommunications, 9 Wenyuan Road, Nanjing, 210023, China) ,  Huang Wei (Key Laboratory for Organic Electronics and Information Displays (KLOEID), Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts & Telecommunications, 9 Wenyuan Road, Nanjing, 210023, China) ,  Huang Wei (Key Laboratory of Flexible Electronics (KLOFE), Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing Tech University, 30 South Puzhu Road, Nanjing, 211816, China)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 29  号： 35  ページ： ROMBUNNO.201701333  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 導電性フィラメント(CF)を基本とする抵抗ランダムアクセスメモリは高密度集積構造を有するサブナノスケールまでスケーリングの可能性を有している,Mooreの法則の再生のための最も有望なナノエレクトロニクス技術である。無機スイッチング媒質中の広範な研究と比較して,科学的挑戦は,有機高分子におけるナノスケールCFの成長動力学を理解するために,柔軟で信頼性のある不揮発性有機メモリへの制御可能なスイッチング特性を実現することを目指す。ここではAl/organic/indiumすず酸化物(ITO)の広く採用されている垂直構造に基づく抵抗スイッチング(RS)挙動を調査し,事例研究としてポリ(9 ビニルカルバゾール)とした。動的ギャップゾーン(DGZ)を有するナノスケールAlフィラメントを直接in situ走査型透過電子顕微鏡(STEM)を用いて観察され,これはRS挙動はカルバゾール基を介して成長Alと酸素空孔二重導電性チャネルから構成されるスプライスされたフィラメントのランダム生成に関連していることを示した。フィラメント形成の不均一性は一段階積分法による円錐形接触を導入することにより抑制することができた。円錐電極を効果的にDGZを短縮し,局所電場を増強し,スイッチング電圧を減少させ,RS均一性を改善できる。有機RS効果のための多重フィラメント機構のより深い洞察を提供した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電圧 ,  導電性 ,  不均一性 ,  アルミニウム ,  チャネル ,  *スイッチング ,  *円錐 ,  フィラメント ,  信頼性 ,  酸化スズ ,  事例研究 ,  高分子
準シソーラス用語： ナノスケール ,  ナノエレクトロニクス ,  *抵抗スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 導電性フィラメント ,  ナノポーラス材料 ,  有機メモリ ,  抵抗スイッチング ,  uniformity

分類 (3件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  固-気界面一般  (CB12041H) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (4件)： 円錐形 ,  段階 ,  統合 ,  抵抗スイッチング