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J-GLOBAL ID:201702218214114678   整理番号:17A1458983

増殖培地におけるSi/As比はイネ(Oryza sativa)におけるひ素の取込,亜ひ酸塩流出と転座亜ひ酸塩のに影響する【Powered by NICT】

Do Si/As ratios in growth medium affect arsenic uptake, arsenite efflux and translocation of arsenite in rice (Oryza sativa)?
著者 (11件):
資料名:
巻: 229  ページ: 647-654  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0984B  ISSN: 0269-7491  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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シリコン(Si)は米中のひ素(As)の取込と蓄積を減少させる可能性がある。しかし,ヒ素取り込みに及ぼす成長培地におけるSi/As比,外部媒体への亜ヒ酸塩流出とイネにおける亜ひ酸塩の転座の効果は,現在不明である。イネ実生(Oryza sativaL.)は10μMの亜ヒ酸塩[As(III)]または10μMヒ酸塩[As(V)]と培養液に曝露された91μMリン酸24無しの亜ひ酸塩のヒ素取込および転流に及ぼす異なるケイ酸濃度(0, 10, 100, 1000 μM)の影響を調べた。ヒ素スペシエーションは栄養溶液,根,シュートで測定した。亜ヒ酸塩処理では,異なるSi/As比(1:1, 10:1, 100:1)はイネの根によるAs(III)取込に影響しなかったが,それらは根Pの非存在下でシュート有意に(P<0.001)へのAs(III)の転座を阻害したヒ酸塩処理では,Si/As比100:1は,対照(0:1でSi/As)と比較してAs(V)取込みとAs(III)流出を減少させ,+P処理のための-Pで27.4%,15.1%および47.8%と61.1%の減少であった。As(III)は,イネの根とシュートにおけるヒ素の優勢種である。Si/As比100:1は根りん酸を含まない著しくシュートからAs(III)転座を減少させた。りん酸を供給した場合,根からシュートへのAs(III)転座はSi/As比10:1と100:1のにより著しく阻害された。結果はPの存在下で,亜ヒ酸塩を供給した場合,異なるケイ酸濃度はイネにおける亜ヒ酸塩の取込と輸送に影響を与えなかったことを示した。しかし,ヒ酸塩が供給されたときにSi/As比が100:1では,根からシュートへのAs(V)の取込だけでなく,As(III)流出と移動を阻害した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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重金属とその化合物一般  ,  土壌汚染 

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