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J-GLOBAL ID：201702218236365348   整理番号：17A1558671

低エネルギーイオンを照射したシリコンナノ細線に関するノート:低エネルギーでの異常に大きな変形【Powered by NICT】

Note on low-energy ion irradiated silicon nanowires: Anomalous large deformations at lower energy

著者 (2件)： Chu Kwang-Hua R. (College of Mechanical and Electronic Engineering, Fujian Agriculture and Forestry University, Fuzhou 350002, China) ,  Chu Kwang-Hua R. (Zhu-Mali Centre, 2/F, No. 24, Lane 260, Section 1, Road Muzha, Taipei, Taiwan 116, China)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 145  ページ： 308-311  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 100keV(室温領域で)Ar~+イオンを照射したSiナノワイヤの異常な流れを知るばかりでなく,Siナノワイヤ[Nano Lett.2015年,15年,3800 3807]に沿って観測された非晶質化を説明するために量子化学法に起因する検証絶対反応理論を採用した。もナノドメイン中のSi流動の温度依存粘度を計算することを助けることができるいくつかの処方を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 量子化学 ,  ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  温度依存性 ,  アモルファス化 ,  粘度
準シソーラス用語： ナノドメイン ,  *低エネルギー ,  *シリコンナノワイヤ ,  *低エネルギーイオン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 機械的性質 ,  放射線損傷 ,  欠陥 ,  境界摂動

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低エネルギーイオン ,  シリコンナノ細線 ,  ノート ,  低エネルギー