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J-GLOBAL ID：201702218243418661   整理番号：17A1391579

Quatro:パラメトリックプロセス変動耐性を有する耐放射線性SRAMセル【Powered by NICT】

We-Quatro: Radiation-Hardened SRAM Cell With Parametric Process Variation Tolerance

著者 (3件)： Trang Dang Le Dinh (Kyunghee University, Yongin-si, South Korea) ,  Kim Jin Sang (Kyunghee University, Yongin-si, South Korea) ,  Chang Ik Joon (Kyunghee University, Yongin-si, South Korea)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 64  号： 9  ページ： 2489-2496  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 放射線環境下では,従来のSRAMは,高ソフトエラー率に悩まされている。この挑戦に取り組むために,(10t)十二トランジスタ(12T)ダイスと十トランジスタのようないくつかの放射耐性強化スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)細胞Quatroを開発した。中程度の面積オーバヘッドを招くが,この細胞を,ロバストな動作を配送するのでQuatroはより有望である。しかし,著者らの研究は,Quatroはスケール技術のパラメトリック変化の下での多数書き込み故障を経験し,このSRAMセルの適用を妨げることを示した。この論文では,著者らがQuatroと命名した12T SRAMセルを提案した。より多くのトランジスタを用いたにもかかわらず,提案されたSRAMセルはQuatroと本質的に同じ面積を占めている。徹底的なシミュレーションは,提案したセルは28nm完全空乏化SOI技術のパラメトリック変化の下でのQuatroに良好な書込み性能と匹敵するソフトエラー回復力を提供し,著者らが提案した,Quatroの有効性を検証することを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *SRAM ,  ロバスト性 ,  *放射線 ,  故障 ,  SOI構造 ,  *耐放射線性 ,  トランジスタ ,  ソフトエラー
準シソーラス用語： ソフトエラー率 ,  *プロセス変動 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 耐性 ,  耐放射線性 ,  SRAM ,  セル