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J-GLOBAL ID：201702218285404954   整理番号：17A1720623

絶縁高分子中に埋め込まれたbithienopyrroledione高分子半導体の相分離と電気的性能【Powered by NICT】

Phase separation and electrical performance of bithienopyrroledione polymer semiconductors embedded in insulating polymers

著者 (5件)： Tang Linjing (Key Laboratory of Synthetic and Self-Assembly Chemistry for Organic Functional Molecules, Shanghai Institute of Organic Chemistry, Chinese Academy of Sciences, 345 Lingling Road, Shanghai 200032, China. [e-mail]) ,  He Pan ,  Qiao Xiaolan ,  Qian Qun ,  Li Hongxiang
資料名： Materials Chemistry Frontiers  (Materials Chemistry Frontiers)
巻： 1  号： 11  ページ： 2265-2270  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2466A  ISSN： 2052-1537  CODEN： MCFAC5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Bithienopyrroledione(1,1′-ビチエノ[3,4-c]ピロール-4,4′,6,6′-テトラオン(ビ TPD))系共重合体P1を合成し,特性化した。P1/PMMAブレンドにおけるその相分離特性を調べた。P1はP1/PMMAブレンド中に微細化した繊維を形成し,全ブレンド系中に分散したことが分かった。活性層としてP1膜とP1/PMMAブレンド膜を用いた薄膜電界効果トランジスタを作製した。両デバイスはN_2雰囲気中で周囲条件および両極性電荷キャリア輸送挙動下でのp型電荷キャリア輸送特性を示した。大気条件下で,P1薄膜トランジスタは0.48cm~2V~ 1s~ 1の正孔移動度を示し,ブレンド膜素子を0.32cm~2V~ 1s~ 1の正孔移動度に匹敵する性能を示した。N_2雰囲気において,ブレンド膜トランジスタの性能はP1膜のものと比較して大きく改善された。正孔/電子移動度はP1薄膜デバイスのためのブレンド薄膜トランジスタと0.02/0.002cm~2V~ 1s~ 1の0.10/0.05cm~2V~ 1s~ 1であった。すべてのこれらの結果は,高性能ブレンド薄膜トランジスタにおけるBi TPD系高分子半導体の応用の可能性を示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： FET【トランジスタ】 ,  *高分子 ,  薄膜トランジスタ ,  薄膜 ,  トランジスタ ,  *相分離 ,  正孔 ,  キャラクタリゼーション ,  *高分子半導体 ,  活性層
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  正孔移動度 ,  輸送特性 ,  電荷キャリア ,  両極性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 絶縁 ,  高分子 ,  高分子半導体 ,  相分離