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J-GLOBAL ID：201702218313715644   整理番号：17A1170250

電気シナプスのための電子型CuPcベース要素における整流制御されたメムリスティブ特性【Powered by NICT】

Rectification-Regulated Memristive Characteristics in Electron-Type CuPc-Based Element for Electrical Synapse

著者 (14件)： Wang Laiyuan (Key Laboratory for Organic Electronics and Information Displays and Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts and Telecommunications (NUPT), 9 Wenyuan Road, Nanjing, 210023, China) ,  Yang Jie (Key Laboratory for Organic Electronics and Information Displays and Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts and Telecommunications (NUPT), 9 Wenyuan Road, Nanjing, 210023, China) ,  Zhu Ying (Key Laboratory for Organic Electronics and Information Displays and Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts and Telecommunications (NUPT), 9 Wenyuan Road, Nanjing, 210023, China) ,  Yi Mingdong (Key Laboratory for Organic Electronics and Information Displays and Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts and Telecommunications (NUPT), 9 Wenyuan Road, Nanjing, 210023, China) ,  Xie Linghai (Key Laboratory for Organic Electronics and Information Displays and Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts and Telecommunications (NUPT), 9 Wenyuan Road, Nanjing, 210023, China) ,  Ju Ruolin (Key Laboratory for Organic Electronics and Information Displays and Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts and Telecommunications (NUPT), 9 Wenyuan Road, Nanjing, 210023, China) ,  Wang Zhiyong (Key Laboratory for Organic Electronics and Information Displays and Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts and Telecommunications (NUPT), 9 Wenyuan Road, Nanjing, 210023, China) ,  Liu Lutao (Key Laboratory for Organic Electronics and Information Displays and Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts and Telecommunications (NUPT), 9 Wenyuan Road, Nanjing, 210023, China) ,  Li Tengfei (Key Laboratory for Organic Electronics and Information Displays and Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts and Telecommunications (NUPT), 9 Wenyuan Road, Nanjing, 210023, China) ,  Zhang Chenxi (Key Laboratory for Organic Electronics and Information Displays and Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts and Telecommunications (NUPT), 9 Wenyuan Road, Nanjing, 210023, China) ,  Chen Yan (Key Laboratory for Organic Electronics and Information Displays and Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts and Telecommunications (NUPT), 9 Wenyuan Road, Nanjing, 210023, China) ,  Wu Yanan (Key Laboratory for Organic Electronics and Information Displays and Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts and Telecommunications (NUPT), 9 Wenyuan Road, Nanjing, 210023, China) ,  Huang Wei (Key Laboratory for Organic Electronics and Information Displays and Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing University of Posts and Telecommunications (NUPT), 9 Wenyuan Road, Nanjing, 210023, China) ,  Huang Wei (Key Laboratory of Flexible Electronics (KLOFE) and Institute of Advanced Materials (IAM), Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM), Nanjing Tech University (NanjingTech), 30 South Puzhu Road, Nanjing, 211816, China)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 3  号： 7  ページ： ROMBUNNO.201700063  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1新しい電子戦略として,整流とメムリスティブ挙動の統合は,その応用可能性を示している。装置エネルギー準位の再構成と電荷蓄積再配分に及ぼす電子型CuPcメモリスタのアノードでのLiFバッファ層の界面効果に基づいて,整流特性を持つ有機メモリスタの新しいクラスを提案した。滑らかな連続変化によって特徴付けられるメムリスティブ挙動が得られ,これは調節可能なデバイスエネルギー準位及び関連するキャリア過程により詳細に説明した。本素子では,良く知られたクロストーク問題を解くためのその魅力,連続整流調節されたメムリスティブ挙動に基づくとは別に,この研究は,効果的な包括的なバイオインスパイアード計算のための新しいタイプの人工シナプスの電気整流シナプスを考案するための道を開くものである。このようにこれらの結果は,エネルギー準位再構成によるメモリスタの更なる研究を必要とし,新しい脳情報処理のための設計における整流制御されたメモリスタのための独自の展望を開くことができる。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *シナプス ,  再構成 ,  バッファ層 ,  情報処理 ,  帯電 ,  界面 ,  *整流 ,  再分布 ,  クロストーク ,  エネルギー準位
準シソーラス用語： メモリスタ ,  電気シナプス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： CuPc ,  電気シナプス ,  電子型 ,  メムリスタ ,  整流

分類 (2件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電気シナプス ,  電子 ,  CuPc ,  要素 ,  整流