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J-GLOBAL ID：201702218507577249   整理番号：17A0939078

ZnSnO_3ナノキューブ分散ZnOナノワイヤのヘテロ構造複合により誘起された抵抗スイッチング現象【Powered by NICT】

Resistive switching phenomena induced by the heterostructure composite of ZnSnO₃ nanocubes interspersed ZnO nanowires

著者 (3件)： Siddiqui Ghayas Uddin (Department of Mechatronics Engineering, Jeju National University, Korea. [e-mail]) ,  Rehman Muhammad Muqeet ,  Choi Kyung Hyun
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 22  ページ： 5528-5537  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 各種材料の抵抗スイッチング効果を,高いスケーラビリティ,低コスト,簡単な構造とこのようなメモリ素子の低消費電力などの有望な利点のために研究した。本研究では,酸化亜鉛ナノワイヤ(ZnO NWs)とスズ酸亜鉛ナノキューブ(ZnSnO_3NC)のナノ複合材料における抵抗スイッチング効果を調べた。素子は,銀(Ag)の高導電性(0.3 Ω cm)パターンは,逆オフセット印刷技術を用いた下部電極として堆積した柔軟なポリ(エチレンテレフタレート)基板上に作製した。垂直整列した高密度ZnO NWsを水熱合成とその後の電気流体力学的噴霧(EHDA)法を用いてZnSnO_3NCの溶射を用いたAgパターン上に成長させた。最後に,トップAg電極はデバイスの製作を完了するためにEHDパターン形成法を用いてパターン化した。作製した素子は,バイポーラおよび書き換え可能特性を示し,オン/オフ比5.8×10~2と小さな操作電圧(1.2 V)で10~4sの保持時間をもつ不揮発性抵抗スイッチングメモリを有していた。Ag ZnO/ZnSnO_3-Agメモリ素子で得られた電気的結果が顕著であった,それらは有意な再現性を示した。ZnO NW ZnSnO_3NCヘテロ構造で得られた有意に安定した高耐久性があり有望な結果は,この半導体ナノ複合材料将来のフレキシブルメモリデバイスでの使用の潜在的候補にしている。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電圧 ,  再現性 ,  ポリエチレンテレフタレート ,  水熱合成 ,  ナノ複合材料 ,  耐久性 ,  銀 ,  *酸化亜鉛 ,  記憶素子 ,  導電性 ,  半導体 ,  パターン形成
準シソーラス用語： *抵抗スイッチング ,  *ヘテロ構造 ,  *ナノキューブ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： ナノキューブ ,  ZnOナノワイヤ ,  ヘテロ構造 ,  誘起 ,  抵抗スイッチング ,  現象