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J-GLOBAL ID：201702218538240820   整理番号：17A1457662

層状半導体TlGaSe_2の異方性光学定数とバンド間光学遷移【Powered by NICT】

Anisotropic optical constants and inter-band optical transitions in layered semiconductor TlGaSe₂

著者 (4件)： Shim YongGu (Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture University, Gakuen-cho 1-1, Nakaku, Sakai, Osaka 599-8531, Japan) ,  Itoh Yoshiaki (Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture University, Gakuen-cho 1-1, Nakaku, Sakai, Osaka 599-8531, Japan) ,  Wakita Kazuki (Chiba Institute of Technology, 2-17-1 Tsudanuma, Narashino 275-0016, Japan) ,  Mamedov Nazim (Institute of Physics, Azerbaijan National Academy of Sciences, H. Javid ave. 131, Baku AZ-1143, Azerbaijan)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 421  号： PB  ページ： 788-793  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 準二次元層状構造を持つTlGaSe_2結晶の誘電関数スペクトルを温度範囲80~400Kにおける光子範囲1.5 5~1.0eVで研究した。(100)と(001)表面を分光偏光解析法により測定したおよび誘電関数を偏光解析データの従来の処理後に回収した。得られた誘電関数に関連したバンド間光学遷移を,標準的な臨界点解析を用いて決定した。遷移の帰属は,計算された電子バンド構造の枠内で行った。タリウム軌道の関与で形成された電子状態間のバンド間光学遷移の検索された臨界点のエネルギーの急激な温度誘起変化は,104.5K,123.3Kと247.0Kで得られた。最終温度はTlGaSe_2におけるその後の構造相転移の温度点と良く一致した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *光学定数 ,  臨界点 ,  結晶 ,  構造相転移 ,  誘電関数 ,  *半導体 ,  層状組織 ,  タリウム ,  スペクトル ,  *異方性 ,  偏光解析法 ,  電子状態
準シソーラス用語： 電子バンド構造 ,  分光偏光解析法 ,  *光学遷移 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 誘電関数スペクトル ,  光学遷移 ,  タリウム化合物 ,  電子バンド構造

分類 (1件)： 光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 層状 ,  異方性 ,  光学定数 ,  バンド ,  光学遷移