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J-GLOBAL ID：201702218543875304   整理番号：17A1345322

トランジスタのゲートノードでの第2高調波電圧の存在下でのJ級モード電力増幅器の研究【Powered by NICT】

Investigation of a Class-J Mode Power Amplifier in Presence of a Second-Harmonic Voltage at the Gate Node of the Transistor

著者 (2件)： Alizadeh Amirreza (Department of Electrical Engineering, Sharif University of Technology, Tehran, Iran) ,  Medi Ali (Department of Electrical Engineering, Sharif University of Technology, Tehran, Iran)
資料名： IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques)
巻： 65  号： 8  ページ： 3024-3033  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,第二高調波電圧成分は素子の入力ノードに添加するとJ級モード電力増幅器(PA)の性能を調べた。最適負荷インピーダンス,出力電力,およびドレイン効率の理論的定式化は,この場合のために開発された,トランジスタのゲートノードでの適切な第二高調波電圧を含めるとドレイン効率と出力を改善することを示した。理論的解析とシミュレーション結果の精度をチェックするために,概念実証1GHz0.65W J級PAは0.25μm AlGaAs-InGaAs pHEMT技術で作成した。トランジスタの非線形ゲート-ソース・コンデンサ(C_GS)を用いて,ゲートノードで必要な第二高調波電圧を発生させた。チップ寸法1.57×1.0mm~2の,設計したPAは62%の電力付加効率と1GHzで 18dBの小信号利得を達成した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電力付加効率 ,  定式化 ,  *電力増幅器 ,  小信号利得 ,  シミュレーション ,  *トランジスタ ,  コンデンサ ,  インピーダンス ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  *電圧 ,  ヒ化ガリウムインジウム
準シソーラス用語： チップサイズ ,  PHEMT ,  出力電力 ,  *第二高調波 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (6件)： トランジスタ ,  ゲート ,  ノード ,  第2高調波 ,  電力増幅器 ,  研究