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J-GLOBAL ID：201702218560026645   整理番号：17A1712448

ナノサイズ半導体Pt_2Si_n(n=10 20)材料の幾何学的および電子的性質:密度汎関数理論研究【Powered by NICT】

Geometrical and electronic properties of nanosize semiconductor Pt₂Si_n (n=10-20) material: A density functional theory investigation

著者 (4件)： Zhao Run-Ning (Institute of Applied Mathematics and Physics, Shanghai DianJi University, Shanghai 201306, People’s Republic of China) ,  Chen Rui (Institute of Applied Mathematics and Physics, Shanghai DianJi University, Shanghai 201306, People’s Republic of China) ,  Lu Zi-Chen (Technology Transfer Center, Cloud Computing Center, Chinese Academy of Sciences, Dongguan 523808, People’s Republic of China) ,  Han Ju-Guang (National Synchrotron Radiation Laboratory, University of Science and Technology of China, Hefei 230029, People’s Republic of China)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials  (Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials)
巻： 226  ページ： 151-157  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 成長パターン挙動,相対的安定性,ナノサイズPt_2Si_n(n=10 20)半導体材料の幾何学的および電子的性質を密度汎関数法を用いて研究した。最適化構造は遷移金属Pt_2は10 15を持つ小型開いたかご状シリコン骨格の上にドープしたPt_2は16 20;と密接なかご状Siフレームにカプセル化されることを示した。計算された相対的安定性に基づいて,特に安定Pt_2Si_16単位で発見した。Pt_2Si_n(n=10 20)の支配的な成長パターンは,安定した五角形プリズムPtSi_10単位に基づいている。興味深いことに,シリコンフレームにカプセル化され完全に二金属原子と形状転移の臨界サイズは15であると決定した。計算した自然ポピュレーション解析から,電荷はSi_nフレームPt_2から原子へ移動することを示した。Pt_2Si_19クラスタが最小H OMO-LUMOギャップと最も強い化学活性を有していた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： クラスタ ,  LUMO ,  プリズム ,  *密度汎関数法 ,  *半導体 ,  ドーピング ,  臨界 ,  電荷 ,  形態 ,  半導体材料 ,  ポピュレーション解析 ,  最適化

著者キーワード (5件)： Pt_2ドープnanozie Si_n(n=10 20)クラスタ ,  成長パターン ,  幾何構造と安定性 ,  電荷移動 ,  密度汎関数理論

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： ナノサイズ ,  幾何学 ,  電子 ,  性質 ,  密度汎関数理論 ,  研究