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J-GLOBAL ID：201702218566533970   整理番号：17A1248139

成長とアニールしたInSe薄膜の構造,光学,及び誘電特性に及ぼすAu nanosandwichingの影響【Powered by NICT】

Effect of Au nanosandwiching on the structural, optical and dielectric properties of the as grown and annealed InSe thin films

著者 (4件)： Omareya Olfat A. (Departments of Physics Arab American University (AAUJ), Jenin 240, Saudi Arabia) ,  Qasrawi A.F. (Departments of Physics Arab American University (AAUJ), Jenin 240, Saudi Arabia) ,  Qasrawi A.F. (Group of Physics, Faculty of Engineering, Atilim University, 06836 Ankara, Turkey) ,  Al Garni S.E. (Physics Department, Faculty of Science, Al Faisaliah, King Abdulaziz University, Jeddah, Saudi Arabia)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 520  ページ： 57-64  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,InSe/Au/InSe nanosandwiched構造の構造的,光学的および誘電的性質をX線回折とUV-可視光吸光分光分析法により調べた。二InSe層20~100nm厚のAu金属スラブの挿入は成長したままのInSe膜の非晶質性を変化させなかったが,エネルギーバンドギャップと自由キャリア密度を減少させた。も増加した吸収率と誘電定数の値~3倍にした。ナノサンドイッチとして100nmのAu層の挿入はInSe膜のドリフト移動度(31.3cm~2/Vs)とプラズモン周波数(1.53GHz)を増強した。一方,アニーリング,InSe/Au(100nm)/InSeサンドイッチで観察された金属誘起結晶化過程。特に,300°Cでアニールしたとき,20nmの厚さの層でサンドイッチされた試料はほとんど六方晶γ-In_2Se_3を明らかにしたが,100nmのAuスラブでサンドイッチされたものは,200°Cのアニーリング温度で六方晶γ-In_2Se_3の結晶相を示した。300°Cでのさらなるアニーリングは斜方晶In_4Se_3相の出現を強制した。光学的に,200°CでInSe/Au(100nm)/InSeの焼なましは吸収比を改善し約9倍とエネルギーバンドギャップを低下させた。InSeのnanosandwiching技術はInSe光起電力材料の光学的性質の工学のための有望であると思われる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 吸収係数 ,  X線回折 ,  非晶質 ,  *薄膜 ,  六方晶系 ,  誘電率 ,  可視光 ,  焼なまし ,  バンドギャップ ,  吸光分光分析 ,  光起電力 ,  *誘電性 ,  *金 ,  光学的性質
準シソーラス用語： *InSe , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： InSe ,  Nanosandwich ,  誘電体 ,  テラヘルツ ,  プラズモン素子

分類 (2件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 成長 ,  アニール ,  InSe ,  薄膜 ,  光学 ,  誘電特性 ,  Au