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J-GLOBAL ID：201702218573611836   整理番号：17A0550590

ミストCVD法により作製したZnO膜の発光特性の成膜速度依存性

著者 (4件)： 中田克弥 (金沢工大 O.E.D.S. R&Dセ) ,  菅野剛志 (金沢工大 O.E.D.S. R&Dセ) ,  深田晴己 (金沢工大 O.E.D.S. R&Dセ) ,  山口敦史 (金沢工大 O.E.D.S. R&Dセ)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.16p-P7-22  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 化学蒸着 ,  酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  *特性 ,  *堆積速度 ,  速度依存性 ,  *薄膜 ,  薄膜成長 ,  スペクトル ,  光ルミネセンス ,  酸化物半導体 ,  *発光特性 ,  蒸着速度 ,  ミストCVD ,  *ZnOフィルム
準シソーラス用語： ミストCVD法 ,  *ZnO薄膜 ,  フォトルミネセンススペクトル ,  フォトルミネセンス

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： ミストCVD法 ,  作製 ,  ZnO ,  発光特性 ,  成膜速度 ,  依存性