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J-GLOBAL ID:201702218608877699   整理番号:17A1501816

遷移金属をドープしたグラフェン上のホスゲン分子の吸着:第一原理計算【Powered by NICT】

Adsorption of phosgene molecule on the transition metal-doped graphene: First principles calculations
著者 (8件):
資料名:
巻: 425  ページ: 340-350  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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グラフェンと遷移金属をドープした(TM=Zr, Mo, Ti, Mn, Fe, Co)グラフェン上のホスゲン分子の吸着を,密度汎関数理論に基づく第一原理法を用いて調べた。ホスゲン分子との間の相互作用の無処理グラフェンまたは遷移金属をドープしたグラフェン(TMドープグラフェン)の性質は,幾何構造,吸着エネルギー,Mulliken電荷分布,状態密度解析,UVスペクトルで発見された。計算結果はホスゲン分子とグラフェンの間の相互作用は弱い物理吸着であることを示した。しかし,遷移金属のドーピングは強い化学吸着することが分かった。これはホスゲンの金属原子と酸素原子間の化学結合の生成であり,これがホスゲン除去のためのTMドープグラフェン本当に有望な材料をによるものであった。TMをドープしたグラフェンもホスゲン吸着後の異なる電子的性質,発生時のグラフェンと比較して示した。さらに,計算は,TMをドープしたグラフェンのUVスペクトルはホスゲン吸着により修飾されることを明らかにした。ホスゲンと相互作用するとしてTMドープグラフェンシートの電子的および光学的性質の大きな変化はホスゲンを検出するために利用することができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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吸着の電子論 

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