ホット注入法によるMoS<sub>2</sub>のモルフォロジ制御可能合成:量子ドットからナノシートまで

LIU Yueli; ZHONG Qiaohui; CHEN Keqiang; ZHOU Jing; YANG Xue; CHEN Wen

文献

J-GLOBAL ID：201702218660013406 整理番号：17A1604050

ホット注入法によるMoS₂のモルフォロジ制御可能合成:量子ドットからナノシートまで

Morphologies controllable synthesis of MoS₂ by hot-injection method: from quantum dots to nanosheets

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資料名：
巻： 28 号： 18 ページ： 13633-13637 発行年： 2017年09月
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

層化MoS₂はバンドギャップの大きさと比較的高いキャリア移動度からグラフェンに代わるものとして注目されている。化学合成法でMoS₂を作ると比較的便利で安価なので,溶液ベースホット注入法でMoS₂を制作した。反応時間を制御するとMoS₂のモルフォロジは変化して量子ドットとナノシートを作る。MoS₂の形成機構を調べると,層化MoS₂ナノシートの形成はボトムアッププロセスであり,量子ドット,小片,大面積なのシートの三段階になっている。

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固体デバイス材料

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