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J-GLOBAL ID：201702218766793892   整理番号：17A0703801

ラジカルドーピングと真空アニーリングによるCVDグラフェンのHall移動度と導電率の増強【Powered by NICT】

The enhancement of Hall mobility and conductivity of CVD graphene through radical doping and vacuum annealing

著者 (3件)： Pham Viet Phuong (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon, Gyeonggi-do 440-746, Republic of Korea. [e-mail] [e-mail]) ,  Mishra Anurag ,  Young Yeom Geun
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 26  ページ： 16104-16108  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 誘導結合プラズマ系を用いたグラフェンの塩素ドーピングのための革新的な方法を報告した。TEM分析は,プレドーピング(湿式移動前ドーピング)と正常ドーピング(湿式移動後ドーピング)は一般的にグラフェン層の間で良く形成され,捕捉されたことを明らかにした;さらに,熱安定性試験により,塩素トラップされたレイヤー-バイ-レイヤー成長グラフェンは100時間230°Cで真空中で非常に高い熱安定性を示した。は550nm波長で72Ωsq~ 1及び95.64%でClトラップされた三層グラフェンのシート抵抗と光透過率を得た。さらに,塩素捕捉二および三層グラフェンの高い正孔移動度は3352~3970cm~2V~ 1s~ 1まで観察された。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： シート抵抗 ,  *電気伝導率 ,  透過率 ,  熱安定性 ,  *焼なまし ,  誘導結合プラズマ ,  光透過 ,  波長 ,  *グラフェン ,  捕獲 ,  塩素 ,  *Hall移動度
準シソーラス用語： 正孔移動度 ,  光透過率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (7件)： 真空 ,  アニーリング ,  CVD ,  グラフェン ,  Hall移動度 ,  導電率 ,  増強