文献

J-GLOBAL ID：201702218780816474   整理番号：17A0402824

VO_2膜中の八面体対称性変化を誘発した水素取込【Powered by NICT】

Hydrogen incorporation induced the octahedral symmetry variation in VO₂ films

著者 (9件)： Lee Dooyong (Department of Physics, Pusan National University, Busan 46241, South Korea) ,  Lee Dooyong (Advanced Nano Surface Research Group, Korea Basic Science Institute, Daejeon, 34133, South Korea) ,  Kim Hyegyeong (Department of Physics, Pusan National University, Busan 46241, South Korea) ,  Kim Ji Woong (Department of Physics, Pusan National University, Busan 46241, South Korea) ,  Lee Ik Jae (Energy & Environmental Materials Team, Pohang Accelerator Laboratory, Pohang 37673, South Korea) ,  Kim Yooseok (Advanced Nano Surface Research Group, Korea Basic Science Institute, Daejeon, 34133, South Korea) ,  Yun Hyung-Joong (Advanced Nano Surface Research Group, Korea Basic Science Institute, Daejeon, 34133, South Korea) ,  Lee Jouhahn (Advanced Nano Surface Research Group, Korea Basic Science Institute, Daejeon, 34133, South Korea) ,  Park Sungkyun (Department of Physics, Pusan National University, Busan 46241, South Korea)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 396  ページ： 36-40  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,水素焼なましVO_2膜の巨視的物理特性変化の微視的側面,RFマグネトロンスパッタリングによりAl_2O_3(0001)基板上に堆積を調べた。温度依存電気抵抗率は成長したままの膜は加熱時および冷却時に55.20°Cと49.26°Cで金属-絶縁体転移(MIT)を示したことを示した。一方,MITは水素環境下でアニールした膜では観察されなかった。in-situ水素化プロセス中の分光学的測定は,水素アニーリング(~0.3mbar,300°Cまで)は100°C以上でV~3+状態を促進することを示した。Raman分光法とX線回折は,成長したままの膜は,水素アニーリング中のルチル構造から単斜晶へ変化することを確認した。添加では,知られているルチルVO_2膜のそれと比較して,低い角度に水素アニール膜の(020)回折ピーク位置のシフトは単位格子の拡大に起因した。添加では,局所構造解析は,水素アニーリング後,八面体対称性の増加は水素アニール膜の金属特性の主な説明の一つであることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： X線回折 ,  水素化 ,  *水素 ,  温度依存性 ,  焼なまし ,  単斜晶系 ,  電気抵抗率 ,  *八面体 ,  Raman分光法 ,  ルチル ,  金属-絶縁体転移 ,  *対称性 ,  金属性
準シソーラス用語： 局所構造 ,  RFマグネトロンスパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 金属-絶縁体転移 ,  VO_2 ,  Hydrogenation ,  八面体対称性

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 八面体 ,  対称性 ,  誘発 ,  水素 ,  取込